2010年全球半導(dǎo)體封裝產(chǎn)業(yè)盤(pán)點(diǎn)

2010年，半導(dǎo)體封裝業(yè)界，以銅引線(xiàn)鍵合為代表的低成本封裝技術(shù)吸引了眾多目光。雖然將來(lái)有望出現(xiàn)基于TSV（硅貫通孔）的三維積層等創(chuàng)新技術(shù)，但目前的通貨緊縮對(duì)策成為最重要的課題。

2010年1月，SEMI公布了關(guān)于銅引線(xiàn)鍵合的調(diào)查結(jié)果。調(diào)查結(jié)果顯示，有41％的半導(dǎo)體廠商使用銅引線(xiàn)鍵合。封裝技術(shù)相關(guān)展會(huì)“NEPCONJAPAN2010”，也指出了以銅引線(xiàn)鍵合為首的低成本封裝技術(shù)的重要性。

走在此類(lèi)低成本封裝技術(shù)前列的，是日本國(guó)外的后工藝專(zhuān)業(yè)廠商。例如，在銅引線(xiàn)鍵合的購(gòu)買(mǎi)比例中，臺(tái)灣占到全球的39％，菲律賓占到全球的18％，日本僅占3％。先行者——臺(tái)灣日月光集團(tuán)（ASEGroup）表示，“采用銅引線(xiàn)鍵合的封裝供貨量截至2010年9月累計(jì)達(dá)到了10億個(gè)，實(shí)現(xiàn)了不亞于金線(xiàn)的質(zhì)量”。另外，臺(tái)灣日月光集團(tuán)預(yù)計(jì)2010年底的累計(jì)供貨量將達(dá)到20億個(gè)，年底之前將購(gòu)買(mǎi)4000臺(tái)銅引線(xiàn)鍵合裝置。

日本也在推進(jìn)銅引線(xiàn)鍵合的開(kāi)發(fā)工作。例如，富士通半導(dǎo)體已經(jīng)開(kāi)始量產(chǎn)銅線(xiàn)產(chǎn)品，今后還準(zhǔn)備擴(kuò)大生產(chǎn)規(guī)模。不過(guò)，難以實(shí)現(xiàn)如同金線(xiàn)產(chǎn)品那樣的穩(wěn)定生產(chǎn)，因此富士通半導(dǎo)體表示“估計(jì)銅線(xiàn)產(chǎn)品的比例在2012年也只有幾十個(gè)百分比的水平”。

TSV及三維技術(shù)也取得進(jìn)展

另外，關(guān)于采用TSV的三維積層等前瞻技術(shù)，其技術(shù)開(kāi)發(fā)工作也正在穩(wěn)步推進(jìn)中。例如，爾必達(dá)存儲(chǔ)器為了量產(chǎn)采用TSV的新一代DRAM，正加速進(jìn)行技術(shù)開(kāi)發(fā)（參閱本站報(bào)道3）。爾必達(dá)存儲(chǔ)器有兩大目的。一個(gè)是通過(guò)積層多個(gè)DRAM內(nèi)核來(lái)實(shí)現(xiàn)“超大容量DRAM”，另一個(gè)是實(shí)現(xiàn)以高帶寬連接邏輯LSI和DRAM的“超寬I/O”。

關(guān)于后者，爾必達(dá)存儲(chǔ)器已宣布將與臺(tái)灣力成科技（Powertech Technology，PTI）和臺(tái)灣聯(lián)華電子（United Microelectronics，UMC）合作（參閱本站報(bào)道4）。此外，TSV開(kāi)發(fā)方面的相關(guān)合作動(dòng)向也引人注目，例如住友精密和法國(guó)CEA-Leti將就新一代TSV的技術(shù)開(kāi)發(fā)合作等。

使用無(wú)線(xiàn)方式而非TSV連接積層間芯片的技術(shù)也廣受關(guān)注。日本慶應(yīng)義塾大學(xué)教授黑田忠廣等人的研究小組，開(kāi)發(fā)出了可以三維積層129個(gè)半導(dǎo)體芯片的磁場(chǎng)耦合技術(shù)。將該項(xiàng)技術(shù)用于內(nèi)存卡的研究也正在進(jìn)行之中。