富士電機(jī)擬擴(kuò)增SiC功率半導(dǎo)體產(chǎn)線

 富士電機(jī)計劃生產(chǎn)采用碳化硅作為原料的功率半導(dǎo)體，并在2012年前于該公司位于日本長野縣的松元制作所增設(shè)一條產(chǎn)線，此為該公司首次在自家工廠設(shè)置碳化硅功率半導(dǎo)體的產(chǎn)線，未來預(yù)計在2012年春季開始量產(chǎn)。
    富士電機(jī)將在近期內(nèi)決定生產(chǎn)規(guī)模，外界預(yù)估投資額將可達(dá)到數(shù)10億日圓，此產(chǎn)線利用二極管及碳化硅制作出功率半導(dǎo)體，并整合絕緣柵雙極晶體管（InsulatedGateBipolarTransistor;IGBT），以模塊方式提供給工業(yè)用機(jī)器。
    在此之前，富士電機(jī)已然與日本產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合研究所合作于該研究所的茨城事業(yè)所生產(chǎn)碳化硅功率半導(dǎo)體的試作品，今后透過自家公廠產(chǎn)線，富士電機(jī)計劃正式進(jìn)行量產(chǎn)。
    富士電機(jī)于2011年會計年度（2010年4月~2011年3月）對功率半導(dǎo)體的投資額高達(dá)185億日圓（約2.4億美元），約占該公司總投資額的一半。
    碳化硅功率半導(dǎo)體為變頻器（Inverter）中一重要零組件，主要用于控制馬達(dá)轉(zhuǎn)速，近期以來因其省電效果而受到矚目。使用硅為原料的功率半導(dǎo)體因性能已然難以提升，故電力損失可減半的碳化硅功率半導(dǎo)體，可望于2015年成為市場主流。
    根據(jù)野村證券金融經(jīng)濟(jì)研究所的預(yù)估，功率半導(dǎo)體市場規(guī)模將在2013年，達(dá)到165億日圓，較2009年增加64%.盡管關(guān)于碳化硅功率半導(dǎo)體的市場預(yù)估仍然不多，但業(yè)界估計，碳化硅功率半導(dǎo)體市場將可在2019年達(dá)到8億美元規(guī)模，較2010年增加達(dá)30倍。
    為因應(yīng)未來市場需求，日本多家廠商已然陸續(xù)整頓生產(chǎn)體制，先有Rohm于2010年，后有三菱電機(jī)于2011年初量產(chǎn)碳化硅功率半導(dǎo)體。海外方面也有德國InfineonTechnologies、意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics）等公司，投入碳化硅功率半導(dǎo)體市場。