RF MICRO DEVICES 宣布組建復合半導體組

21ic訊 日前，高性能射頻組件以及復合半導體技術設計和制造領域的全球領導者 RF Micro Devices, Inc.宣布一項戰(zhàn)略性倡議，旨在將 RFMD 在復合半導體技術方面的業(yè)界領先地位擴展到眾多附近的非 RF 增長市場中。此戰(zhàn)略性倡議包括組建一個新的業(yè)務組 － 復合半導體組 (CSG)，該業(yè)務組將與 RFMD 的蜂窩產(chǎn)品組 (CPG) 和 RFMD 的多市場產(chǎn)品組 (MPG) 并肩運營。RFMD 預計，2015 年 CSG涉足的非 RF 應用的總體現(xiàn)有市場 (TAM) 價值將超過 15 億美元。

RFMD 的復合半導體組將采用公司業(yè)界領先的氮化鎵 (GaN) 和砷化鎵 (GaAs) 工藝技術創(chuàng)建創(chuàng)新的高功率、高性能產(chǎn)品。該復合半導體組將包括 RFMD 的電源電子產(chǎn)品線以及 RFMD 的代工服務業(yè)務部門。CSG 還將包括 RFMD 的新技術商業(yè)化中心 (NTCC)，該中心負責新技術的培育，包括 RFMD 與國家可再生能源實驗室 (NREL) 簽訂合作研發(fā)協(xié)議，此協(xié)議與基于 GaAs 的聚光光伏電池 (CPV) 的商業(yè)化有關。

RFMD 現(xiàn)在的多市場產(chǎn)品組總裁 Bob Van Buskirk 將領導 RFMD 的復合半導體組。Van Buskirk 先生先前擔任 Sirenza Microdevices 首席執(zhí)行官兼總裁，該公司于 2007 年 11 月被 RFMD 收購。加入 Sirenza Microdevices 前，Van Buskirk 先生曾在 Northrop Grumman（原 TRW）擔任多個高級職位，包括負責他們 GaAs 復合半導體技術的商業(yè)化，以及領導他們復合半導體代工業(yè)務的發(fā)展和增長。

RFMD 現(xiàn)任的開發(fā)副總裁 Norm Hilgendorf 將擔任公司副總裁兼 RFMD 多市場產(chǎn)品組總裁。Hilgendorf 先生于 2007 年 11 月加入 RFMD，在 Sirenza Microdevices 剛被收購前，他擔任該公司首席運營官。Hilgendorf 先生擁有多年的高級管理經(jīng)驗，包括在多市場組織和 MPG 服務的眾多終端市場中負責銷售與綜合管理。

RFMD 總裁兼首席執(zhí)行官 Bob Bruggeworth 說：“Bob Van Buskirk 是領導 RFMD 復合半導體組的理想人選。Bob 是復合半導體技術方面公認的行業(yè)專家，他始終如一地領導他的組織實現(xiàn)了顯著增長。同樣，鑒于他具有出色的運營背景，并且親自參與我們多市場組織的戰(zhàn)略規(guī)劃和公司發(fā)展，Norm Hilgendorf 將能立即投入到該工作中。”

Bruggeworth 先生繼續(xù)說道：“RFMD 復合半導體組的成立將使我們獲得更多新的機會來激發(fā)我們的未來增長，同時不會對運營支出產(chǎn)生實質(zhì)性影響。在我們的高級技術組織中，我們一直在尋找戰(zhàn)略機會來利用我們世界一流的復合半導體專業(yè)技能，隨著 CSG 的成立，我們將利用已就緒的領導能力和組織能力在高度增長的非 RF 市場中獲取不斷增加且利潤豐厚的收入。”