[導讀]美國半導體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(SIA)日前發(fā)表2011國際半導體科技藍圖(InternationalTechnologyRoadmapforSemiconductors；ITRS)，其中詳細提出各種短期及長期發(fā)展趨勢，一路規(guī)劃出半導體產(chǎn)業(yè)至2026年的發(fā)展。
美國半導體
美國半導體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(SIA)日前發(fā)表2011國際半導體科技藍圖(InternationalTechnologyRoadmapforSemiconductors；ITRS)，其中詳細提出各種短期及長期發(fā)展趨勢，一路規(guī)劃出半導體產(chǎn)業(yè)至2026年的發(fā)展。
美國半導體產(chǎn)業(yè)協(xié)會此次公布的藍圖，首先在2011年12月14日發(fā)表于南韓，制作過程中美國、歐洲、日本、南韓、臺灣等5個區(qū)域的晶圓廠、研究機構(gòu)等均有貢獻。據(jù)該協(xié)會會長BrianToohey指出，制作藍圖的團隊希望借由預先提出可能會遇到的關(guān)鍵技術(shù)難關(guān)及可能解決方式，以令各界有更多時間進行研究。
在規(guī)劃如此藍圖時，困難之處在于如何追隨摩爾定律，持續(xù)微縮半導體制程，但在此同時又提高效能以符合市場需求，其中諸如記憶體、微機電系統(tǒng)(MEMS)、感應器、3D晶片等議題都包括在內(nèi)。
美國半導體產(chǎn)業(yè)協(xié)會指出，在各種領(lǐng)域之中，DRAM的發(fā)展尤其快速，這樣一來也同時可望帶來高效能伺服器、游戲主機用顯示卡等新技術(shù)。
在藍圖中，快閃記憶體因用于目前在市場上如數(shù)位相機、平板電腦、手機等熱門可攜式產(chǎn)品上，因而受到特別矚目。根據(jù)預測，快閃記憶體將可在未來數(shù)年快速發(fā)展，而2016年可望被采用的3!D技術(shù)，更將令記憶體容量大幅增加。
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