恩智浦LDMOS RF功率晶體管支持TD-LTE全頻段應(yīng)用
摘要： 中國移動日前在其官方網(wǎng)站正式公布了2013年TD-LTE無線主設(shè)備的招標(biāo)公告，此次集采涉及全國31個省市，采購規(guī)模約為20.7萬個基站，共計55萬載扇。與此同時，中移動還啟動了2013年首次TD-LTE 4G終端集采，規(guī)模為20.65萬部。
中國移動日前在其官方網(wǎng)站正式公布了2013年TD-LTE無線主設(shè)備的招標(biāo)公告，此次集采涉及全國31個省市，采購規(guī)模約為20.7萬個基站，共計55萬載扇。與此同時，中移動還啟動了2013年首次TD-LTE 4G終端集采，規(guī)模為20.65萬部。業(yè)界普遍認(rèn)為，受蜂窩網(wǎng)絡(luò)部署的驅(qū)動，無線基礎(chǔ)設(shè)施將有望在以下幾個方面出現(xiàn)重大變革，包括高集成度、更高的靈活性、更強的可擴展性、更高的性能和更高效率/更低功耗，從而幫助運營商提高網(wǎng)絡(luò)容量和覆蓋率、降低運營成本和設(shè)備成本所面臨的挑戰(zhàn)。
作為重點關(guān)注TD-LTE無線基站第八代LDMOS產(chǎn)品線的擴展產(chǎn)品，恩智浦日前推出了全新Gen8+ LDMOS RF功率晶體管。BLC8G27LS-160AV是即將發(fā)布的第一款Gen8+器件，據(jù)稱也是全球最小最經(jīng)濟的解決方案，用于有源天線戶外基站(2.6 GHz)的15 W和20 W功率放大器。該設(shè)備可同時支持多達(dá)5個TD-LTE載波，并提供覆蓋全波段(2.5-2.7 GHz)的高效率。
而在恩智浦半導(dǎo)體(NXP)大中華區(qū)無線通訊及射頻業(yè)務(wù)總經(jīng)理陳平路看來，隨著LTE技術(shù)的不斷演進(jìn)，未來，滿足寬帶和多種模式兼容，高密度(低CDS)視頻帶寬和更高性能的RF功率器件將成為必須。同時，為進(jìn)一步降低成本，塑料包裝和高密度、小型封裝RF功率器件產(chǎn)品也會有更多市場需求。
Gen8+產(chǎn)品組合的一項突破性功能是采用了空腔塑料(air cavity plastic， ACP)封裝。相比陶瓷封裝，ACP技術(shù)更加經(jīng)濟、靈活，還允許使用改進(jìn)型無源器件，通過降低功耗并增加增益和效率來提升性能。此外，Gen8+還加入了大量其他封裝選項，包括QFN、OMP和陶瓷封裝。
Gen8+產(chǎn)品組合最初設(shè)計用于頻率范圍在2300-2700 MHz之間的基站應(yīng)用。作為現(xiàn)有恩智浦LDMOS產(chǎn)品系列的擴展，Gen8+增加了各個波段功耗水平的范圍，從5瓦到240瓦不等。“基站綠色節(jié)能、小型化的需求，轉(zhuǎn)化到功率放大器上，就是如何實現(xiàn)更高的效率和集成度?！标惼铰氛f。
他同時強調(diào)稱，NXP在PA領(lǐng)域的優(yōu)勢首先得益于其第8代LDMOS技術(shù)，“新技術(shù)可以提高Doherty放大器的功率、效率，降低內(nèi)存占用，獲得更好的預(yù)失真性能，甚至可以將Doherty完全集成到單個功率晶體管封裝結(jié)構(gòu)中?！边@意味著，工程師無需再對這類特別復(fù)雜電路設(shè)計擔(dān)心，所有分離器、延遲線路和混合器已經(jīng)包含在設(shè)計之中，整個設(shè)計過程可以簡化成AB類電路設(shè)計。
恩智浦半導(dǎo)體(NXP)全新Gen8+ LDMOS#管BLC8G27LS-160AV
針對目前運營商對于基站快速交付的要求，陳平路稱NXP已經(jīng)在三方面做好了應(yīng)對的準(zhǔn)備。首先，推出集成Doherty和多種Doherty參考電路，類似交鑰匙工程，減小設(shè)計的復(fù)雜程度，令客戶加快產(chǎn)品上市的時間;其次，倡導(dǎo)“隨時更替(Drop in Replacement)”的設(shè)計概念，即未來LDMOS能夠沿用目前客戶的電路和結(jié)構(gòu)設(shè)計，同時帶來性能方面的提高，令客戶的設(shè)計周期將大大縮短;最后，由于RF功率器件的重要性和生產(chǎn)的復(fù)雜性，供貨量有限是國內(nèi)外市場，尤其是多種3G/4G制式快速建網(wǎng)的一個瓶頸，因此必須迅速擴大LDMOS的產(chǎn)能，以滿足市場需求。
ABI提供的數(shù)據(jù)顯示，2012年恩智浦在RF 功率晶體管器件市場排名第二，市場份額約為22%。陳平路表示，公司將繼續(xù)優(yōu)化現(xiàn)有LDMOS的工作帶寬設(shè)計，并開發(fā)新的半導(dǎo)體技術(shù)比如GaN，這對于多制式無線接入、軟件定義無線電和等效的網(wǎng)絡(luò)平滑演進(jìn)尤為重要。同時，不斷提高LDMOS的功率容量和視頻帶寬等指標(biāo)，這對于支持以HSPA/LTE為代表的多載波以及對應(yīng)的數(shù)據(jù)流更為關(guān)鍵。
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