臺(tái)積電欲擺脫韓系DRAM技術(shù)依賴 與鈺創(chuàng)聯(lián)手打造3D IC

訊：臺(tái)積電在邏輯IC制程上領(lǐng)先全球同業(yè)，但DRAM仍然只能依賴韓系業(yè)者提供。為了加強(qiáng)在3D IC的DRAM技術(shù)主導(dǎo)性，業(yè)界傳出，臺(tái)積電計(jì)畫(huà)投資1億美元開(kāi)發(fā)Wide I/O（加寬匯流排）或HBM（高帶寬存儲(chǔ)器）等次世代DRAM產(chǎn)品，鈺創(chuàng)可望出線成為合作伙伴。

另外，全球半導(dǎo)體聯(lián)盟（GSA）今（31）日將在臺(tái)灣舉辦年度Memory+論壇，探討集成存儲(chǔ)器及邏輯IC新興技術(shù)。鈺創(chuàng)董事長(zhǎng)盧超群身為GSA亞太領(lǐng)袖議會(huì)主席，將與臺(tái)積電、三星、旺宏、東芝等業(yè)者，共同針對(duì)3D IC導(dǎo)入Wide I/O或HBM的發(fā)展趨勢(shì)發(fā)表演說(shuō)。

將繪圖處理器（GPU）集成在中央處理器（CPU）或ARM應(yīng)用處理器中的系統(tǒng)單芯片（SoC）設(shè)計(jì)，已經(jīng)是目前市場(chǎng)主流，但GPU的效能不斷提升，DRAM帶寬不足問(wèn)題再度浮上臺(tái)面。為了解決此一問(wèn)題，英特爾目前采用嵌入式DRAM（eDRAM）制程，但有技術(shù)太難及成本過(guò)高的門(mén)檻，所以包括超微、賽靈思、阿爾特拉、高通、聯(lián)發(fā)科等業(yè)者，已傾向采用Wide I/O或HBM來(lái)解決此一問(wèn)題。

事實(shí)上，因?yàn)檫壿嬛瞥碳癉RAM制程的大不相同，無(wú)法在制造上將兩種芯片集成在同一芯片中，所以，將邏輯IC及DRAM利用堆疊方式集成在同一芯片中的異質(zhì)3D IC技術(shù)，就成為最佳解決方案。如臺(tái)積電及賽靈思共同推出的首款異質(zhì)3D IC的Virtex-7系列產(chǎn)品，就是采用臺(tái)積電28納米制程及3D IC封裝CoWoS制程生產(chǎn)。

對(duì)于臺(tái)積電來(lái)說(shuō)，目前雖然與韓國(guó)DRAM廠合作開(kāi)發(fā)3D IC，但基于對(duì)技術(shù)主導(dǎo)性的考量，臺(tái)積電已計(jì)畫(huà)轉(zhuǎn)向與臺(tái)灣DRAM業(yè)者合作開(kāi)發(fā)下一世代的Wide I/O 2及HBM產(chǎn)品。據(jù)業(yè)內(nèi)人士透露，臺(tái)積電計(jì)畫(huà)投資1億美元，與國(guó)內(nèi)DRAM業(yè)者共同開(kāi)發(fā)Wide I/O 2及HBM芯片，而鈺創(chuàng)因?yàn)閾碛胁簧?strong>DRAM專利及檢測(cè)良品晶粒（KGD）技術(shù)，所以可望獲得臺(tái)積電青睞并出線。

臺(tái)積電日前在開(kāi)放創(chuàng)新平臺(tái)生態(tài)論壇中，已對(duì)外說(shuō)明3D IC技術(shù)藍(lán)圖。去年提出的Wide I/O接口CoWoS技術(shù)已經(jīng)進(jìn)入量產(chǎn)，今年第2季提出的Wide I/O接口穿透晶體管堆疊（TTS）技術(shù)已將參考設(shè)計(jì)流程交付給客戶。臺(tái)積電計(jì)畫(huà)在2014年第4季將HBM接口導(dǎo)入高效能的繪圖芯片或FPGA等16納米芯片，2015年之后則進(jìn)入Wide I/O 2世代。