[導(dǎo)讀]富士通半導(dǎo)體(Fujitsu)宣布推出全新具有靜態(tài)隨機存取記憶體(SRAM)相容型并列介面的4Mbit鐵電隨機記憶體(FRAM)晶片--MB85R4M2T。MB85R4M2T采用44-pinTSOP封裝，并且與標(biāo)準(zhǔn)低功耗SRAM相容，因此能夠在工業(yè)機械、辦公自
富士通半導(dǎo)體(Fujitsu)宣布推出全新具有靜態(tài)隨機存取記憶體(SRAM)相容型并列介面的4Mbit鐵電隨機記憶體(FRAM)晶片--MB85R4M2T。MB85R4M2T采用44-pinTSOP封裝，并且與標(biāo)準(zhǔn)低功耗SRAM相容，因此能夠在工業(yè)機械、辦公自動化設(shè)備、醫(yī)療設(shè)備以及其他設(shè)備等應(yīng)用中，取代原有具備高速資料寫入功能的SRAM。
FRAM具備非揮發(fā)性資料儲存功能，即使在電源中斷的狀況下仍能保護資料；隨機存取功能則能高速寫入資料。由于FRAM在寫入資料時若面臨電源臨時中斷或是停電，仍舊能夠安全地儲存資料，因此即使在電源中斷時還是能夠立即儲存參數(shù)資訊并即時記錄設(shè)備上的資料數(shù)據(jù)。
另外，MB85R4M2T無須任何電池即可持續(xù)地儲存資料，因此有助于發(fā)展更小型、更省電的硬體設(shè)備，且能降低總成本。其優(yōu)勢包含減少電路板面積，由于MB85R4M2T不須要透過電池儲存資料，因此能減少50%以上產(chǎn)品中所使用印刷電路板(PCB)記憶體與相關(guān)零件的面積。此外MB85R4M2T能降低功耗，相較于SRAM在主電源關(guān)閉的情況下將資料保存在記憶體時，每秒需要消耗約15微瓦(μW)的電流以保存資料，F(xiàn)RAM為非揮發(fā)性的記憶體，在電力關(guān)閉情況下不會耗費任何電力。FRAM移除電池不僅降低零件成本，也免除所有電池更換或維修相關(guān)的周期性成本，能大幅減低開發(fā)及營運的總成本。
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