根據(jù)日本“日經(jīng)新聞”(Nikkei)報導，東芝(Toshiba)與韓國SK海力士(SK Hynix Inc.)最快將于2016年年度攜手量產(chǎn)下一代存儲器芯片MRAM(磁性隨機存儲器)，量產(chǎn)時間比美國半導體大廠美光科技(Micron Technology US-MU)計劃的2018年提前約2年時間。
東芝與SK海力士正在研發(fā)的MRAM，其特征是即使關(guān)掉電源，數(shù)據(jù)也不會消失。與目前廣泛使用于個人電腦、智能手機與其他裝置的DRAM(動態(tài)隨機存取存儲器)相比，MRAM資料貯存量是DRAM的10倍，但耗電量卻僅有2/3。
改用MRAM可延長裝置的電池壽命，加快大量數(shù)據(jù)傳輸速度，例如影音檔案等，并可讓電池與其他零組件實現(xiàn)小型化，將促進穿載式裝置，例如眼鏡型與手表型電腦的開發(fā)。
報導指出，東芝與SK海力士于2011年開始攜手開發(fā)MRAM，并計劃于2014年會計年度開始提供樣品。樣品將由位于首爾郊外的SK海力士工廠生產(chǎn)。
如果需求可期，2016會計年度將會在韓國啟動量產(chǎn)，東芝與SK海力士還將討論籌組合資公司，打算投入1000億日元(9.4億美元)資金，在日本或南韓開辟專門生產(chǎn)線。
目前競逐MRAM研發(fā)的可分為三大陣營，除東芝與SK海力士的日韓聯(lián)軍外，美光現(xiàn)正與東京威力科創(chuàng)(Tokyo Electron)等20家左右的美、日半導體業(yè)者展開合作，力爭在2018年實現(xiàn)量產(chǎn)。
存儲器龍頭三星電子公司(Samsung Electronics Co.)仍維持自主研發(fā)路線，但將積極加強產(chǎn)學合作。
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