20納米芯片已量產(chǎn) 今年且看臺(tái)積電

據(jù)悉，臺(tái)積電的20nm工藝內(nèi)部代號(hào)為“CLN20SOC”，具備極高的晶體管集成度，非常適合高性能SoC單芯片(看代號(hào)的最后三個(gè)字母)。它使用了高K金屬柵極電介質(zhì)，芯片可以達(dá)到很高的頻率，同時(shí)能夠很好地控制漏電率。

此外，臺(tái)積電16納米FinFET(鰭式場(chǎng)效電晶)制程，也正準(zhǔn)備為客戶進(jìn)行產(chǎn)品設(shè)計(jì)定案(tape-out)，估計(jì)明年第1季即可無縫接軌量產(chǎn)。臺(tái)積電共同執(zhí)行長(zhǎng)劉德音預(yù)期，臺(tái)積電在10納米制程，晶體管密度就會(huì)與英特爾相近。

而從五月份開始，臺(tái)積電Fab 15工廠的三期、四期也會(huì)加入20nm行列。臺(tái)積電方面預(yù)計(jì)，20nm將在今年為其貢獻(xiàn)10%左右的收入，其中第四季度能達(dá)到20%。

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