更快：15納米制程NAND閃存芯片即將量產

東芝和SanDisk公司共同開發(fā)并即將量產世界上第一批15納米制程技術的NAND閃存芯片，數(shù)據傳輸率比前代19納米制程快1.3倍，將廣泛應用在智能手機和平板電腦領域。對用戶來說，低成本結構的殺傷力不容小覷。

東芝還表示將會于四月末在日本四日市進行生產，這將是世界上第一批15納米制程的NADA閃存芯片，超越前代19納米制程工藝。

在15納米制程技術將被應用到128千兆位(16GB)NAND閃存，每單元有兩個比特位，東芝表示。處理技術的關鍵在于制造芯片的方法和芯片的大小。

NAND閃存斷電之后仍然可以保存數(shù)據的存儲介質。由于通過使用高速接口新的芯片可將數(shù)據傳輸速率提升到533 Mbps，這比19納米制程技術快1.3倍。

SanDisk公司在另一項聲明中表示，該技術將作為1Z-nm工藝的一個節(jié)點，直接推動它號稱是世界上最小，最具成本效益的128千兆芯片的研發(fā)和生產。

“我們的15納米技術將廣泛的應用于各種解決方案，包括可移動存儲卡，也包括企業(yè)固態(tài)硬盤，”SanDisk發(fā)言人在一封電子郵件中說。

SanDisk于2011年宣布推出采用全球領先的19納米存儲制造工藝并，并于2011年下半年開始量產。每一代的存儲芯片采用了包括先進的工藝創(chuàng)新和單元設計解決方案在內的、時下最先進的閃存技術制造工藝。