智原發(fā)表聯(lián)電28奈米元件庫(kù)與記憶體編譯器

智原科技(Faraday Technology)發(fā)表在聯(lián)電28奈米高效能行動(dòng)運(yùn)算(HPM)與高效能低功耗(HLP)制程的元件庫(kù)(cell library)與記憶體編譯器(memory compiler)。這套完整的28奈米解決方案，可滿(mǎn)足市場(chǎng)對(duì)低功耗、高密度與高速效能的需求，并有效提高良率。

因應(yīng)不同市場(chǎng)的需求，智原科技的28奈米元件庫(kù)中，包含了7軌的 minilab 、9軌的通用型元件庫(kù)、以及12軌的 UHS-Lib 。同時(shí)，全系列都搭載了 PowerSlash 、多種臨界電壓元件、不同通道長(zhǎng)度元件(multi-channel length)等低功耗機(jī)制。當(dāng)中， miniLib 在不影響繞線能力(routability)的情況下，可大幅縮小晶片面積，約達(dá)20%；而12軌的 UHS-Lib 則可提高ARM CPU 的效能，達(dá)到1.5GHz。

為了克服先進(jìn)制程中的高度變異性，智原的28奈米記憶體編譯器，采用多種輔助電路來(lái)提高產(chǎn)出的良率與效能。其中，智原專(zhuān)利的 NBL (Negative BitLine)技術(shù)可在低壓狀況下，強(qiáng)化寫(xiě)入的能力，且經(jīng)矽驗(yàn)證，可在28奈米 HPM 變異最大(worst corner)的制程條件下，提升良率。

而新一代的感測(cè)電壓追蹤技術(shù)與 DPRAM 的儲(chǔ)存單元電流增強(qiáng)技術(shù)(cell current boost)可增加讀取成功率，降低最低工作電壓約200mV。另一項(xiàng)獲得專(zhuān)利的 WLUD 技術(shù)，在測(cè)試晶片上，也已經(jīng)被證實(shí)可有效降低讀取干擾。而 ROM 的部份，智原則采用最新的字元線漏電控制(bit-line leakage suppression)，與隨制程變化自動(dòng)調(diào)整的位元線升壓(adaptive word-line boost)技術(shù)，進(jìn)一步擴(kuò)大低壓條件下的讀取范圍。