內(nèi)存技術(shù)更新至少還得再等十年

很少人會(huì)想到 NAND快閃內(nèi)存已經(jīng)快要消失在地平在線、即將被某種新技術(shù)取代，筆者最近參加了一場(chǎng)IBM/Texas Memory Systems關(guān)于閃存儲(chǔ)存系統(tǒng)的電話會(huì)議，聽到不少儲(chǔ)存系統(tǒng)專家試圖把對(duì)話導(dǎo)引到IBM在下一代內(nèi)存技術(shù)的規(guī)劃上，于是很驚訝地發(fā)現(xiàn)這些人居然都認(rèn)為 NAND閃存很快就會(huì)被新內(nèi)存技術(shù)取代。

筆者在去年7月的HotChips大會(huì)上曾經(jīng)做過一場(chǎng)簡(jiǎn)報(bào)，指出閃存在未來十年將會(huì)是主流內(nèi)存技術(shù)；而現(xiàn)在該產(chǎn)業(yè)才剛進(jìn)入SanDisk所說的 “1Ynm”世代，接著還將邁入“1Znm”世代。SanDisk認(rèn)為，在”1Znm”之后，平面內(nèi)存將式微，我們將進(jìn)入3D內(nèi)存的時(shí)代；其他 NAND閃存制造大廠也有類似的預(yù)測(cè)。

不過有鑒于這個(gè)產(chǎn)業(yè)的運(yùn)作模式，在”1Znm”世代之后，若出現(xiàn)另一條延續(xù)平面內(nèi)存生命的新途徑也不足為奇；因此如果以每個(gè)內(nèi)存世代兩年生命周期來計(jì)算，平面閃存應(yīng)該還能存活4~6年。在那之后，我們則將會(huì)擁有3D NAND閃存技術(shù)。

雖然三星(Samsung)在去年8月宣布開始量產(chǎn)3D結(jié)構(gòu)的V-NAND閃存，但該產(chǎn)品的稀有性意味著它還沒準(zhǔn)備好取代平面內(nèi)存的地位；筆者猜測(cè)，3D內(nèi)存技術(shù)到2017年以前應(yīng)該都還不會(huì)真正的大量生產(chǎn)。

今日大多數(shù)廠商都預(yù)期3D內(nèi)存在式微之前也會(huì)經(jīng)歷三個(gè)世代，因此同樣以兩年一個(gè)世代來計(jì)算，NAND閃存技術(shù)應(yīng)該在4~6年之后，還會(huì)有另外一個(gè)6年的生命；所以在內(nèi)存產(chǎn)業(yè)真的需要新技術(shù)來驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品價(jià)格下降那時(shí)，應(yīng)該已經(jīng)是10~12年之后了。

我的意思并不是其他內(nèi)存技術(shù)有什么不對(duì)，只是目前尚未有足夠的力量讓它們的價(jià)格能比 NAND閃存更低廉；而且在 NAND閃存到達(dá)制程微縮極限之前，也沒有其他的動(dòng)能可以改變現(xiàn)在的狀況。無論如何，要達(dá)到最低的成本、總是要有最大的產(chǎn)量，NAND閃存與DRAM目前就是比其他任何一種內(nèi)存技術(shù)更便宜的方案。