凌力爾特理想二極體橋式控制器適于軍事與汽車應(yīng)用
更強(qiáng)化的電源效率使其不需笨重的散熱片,而可減少電源供應(yīng)器尺寸。低壓應(yīng)用可因省下二極體電橋中固有的兩個(gè)二極體壓降而受益于額外的余裕。相較于傳統(tǒng)的替代方案,MOSFET電橋可達(dá)到高空間及電源效率的整流器設(shè)計(jì)。H及MP等級版本分別保證可作業(yè)于-40℃至125℃及-55℃至125的溫度范圍。
LT4320的開關(guān)控制可平緩地開啟兩組適切的 MOSFET ,同時(shí)保持其他兩組關(guān)閉,以防止反向電流。內(nèi)建的電荷泵針對外部低導(dǎo)通電阻N通道 MOSFET 提供了閘極驅(qū)動器,無需外部電容器。 MOSFET 的選擇提供了最高的功率位準(zhǔn)彈性,其范圍可從一至數(shù)千瓦。
LT4320 目前供貨兩種選項(xiàng): LT4320 針對DC 至60Hz 電壓整流而設(shè)計(jì), LT4320-1 則針對 DC 至 600Hz整流而設(shè)計(jì),其加倍了頂端源/汲極(source-drain)調(diào)節(jié)電壓。H等級元件采用8接腳DFN (3mm x 3mm )及PDIP封裝,12接腳 MSOP 封裝則具備強(qiáng)化的高壓針腳間距,MP等級則供貨12接腳MSOP 封裝。