大陸半導(dǎo)體廠商繼續(xù)研發(fā)更耐熱的光阻劑

中國大陸市場規(guī)模將進一步提升

中國大陸市場所需248nm光阻材料在全球市場所占份額從2013年起大幅增加。

根據(jù)中國半導(dǎo)體協(xié)會2013年11月公布的數(shù)據(jù)顯示，中國大陸半導(dǎo)體內(nèi)需市場規(guī)模從2008年的740億美元增長到2012年的1124億美元，中國大陸已是全球最大的半導(dǎo)體消費區(qū)。預(yù)估到2016年中國大陸半導(dǎo)體內(nèi)需市場將進一步增長到1600億美元。提高半導(dǎo)體產(chǎn)品的自制率成為中國大陸半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的政策方向。

不過就晶圓代工產(chǎn)業(yè)而言，除中芯國際、華力微電子和武漢新芯之外，晶圓代工業(yè)者以8英寸晶圓廠，甚至是6英寸晶圓廠為主，無論在產(chǎn)能規(guī)模、制程技術(shù)等各方面都無法與臺積電、GolbalFoundries等國際一線大廠直接競爭。因此未來一段時間，中國大陸晶圓代工廠將通過“制程升級”、“擴充產(chǎn)能”和“平臺差異化”三大策略尋求成長，以便有效提升市占率，拓寬生存空間，在此情況下，受到市場需求強勁推動，中國大陸在全球光阻材料市場中所占份額必將大幅提升。根據(jù)上表所示，中國大陸市場所需G-Line光阻材料在全球市場所占份額從2012年起大幅增加;所需I-Line光阻材料在全球市場所占份額從2013年起大幅增加;所需248nm光阻材料在全球市場所占份額從2013年起大幅增加。

永光化學(xué)多年經(jīng)營中國大陸市場，建立了順暢靈活的經(jīng)銷供貨網(wǎng)絡(luò)。永光化學(xué)除了在蘇州建立生產(chǎn)基地，可更方便了解客戶需求與深入市場，還在2011年購并華東經(jīng)銷商安泰半導(dǎo)體科技(蘇州)有限公司使其成為永光集團旗下的子公司，可進一步加強對中國大陸客戶的服務(wù)。讓客戶能真正感受到本地生產(chǎn)、量身定制、即時服務(wù)、價格優(yōu)惠的優(yōu)質(zhì)服務(wù)。

致力于高解析度材料的研發(fā)

為了符合離子植入制程階段的溫度條件，材料廠商將開發(fā)耐熱性更佳的光阻劑。

半導(dǎo)體業(yè)新的技術(shù)不斷出現(xiàn)，也推動著材料技術(shù)不斷向前演進。半導(dǎo)體制程正朝向更細線寬方面發(fā)展，持續(xù)開發(fā)I-Line高解析的光阻劑(EPI626、膜厚1μm，解析度0.35μm)是市場的需求趨勢。此外，為了符合離子植入制程階段的溫度條件，材料廠商將開發(fā)耐熱性更佳的光阻劑，以提升產(chǎn)品競爭力。不過目前中國大陸晶圓代工產(chǎn)業(yè)仍以8英寸晶圓為主要產(chǎn)能，0.18微米/0.15微米/0.13微米制程為主流制程。永光將持續(xù)致力于細線寬高解析的研發(fā)，朝DUV光阻開發(fā)方向來努力。

在IC封裝應(yīng)用方面，由于智能手機等產(chǎn)品強調(diào)輕薄，帶動高密度封裝技術(shù)發(fā)展，包括晶圓級封裝(WCSP)、硅穿孔(TSV)、微型凸塊等高端封裝技術(shù)。材料廠商應(yīng)當(dāng)積極開發(fā)應(yīng)用于硅穿孔制程的光阻劑與凸塊制程的厚膜光阻劑(正型：EPG590Series，膜厚10～30μm，解析度<10μm;負型：ENPI503、膜厚20μm、解析度<8μm)，以滿足市場需求。

在LED制程應(yīng)用方面，由于LiftOff制程可省去強酸性貴金屬制程，符合綠色環(huán)保趨勢，已逐漸成為業(yè)界重要方向，提升光阻劑的耐熱特性，以增加其制程寬容度是一個發(fā)展方向。此外，照明市場已是LED的應(yīng)用主流，藍寶石晶圓表面圖形化PSS可大幅提升LED發(fā)光效率，因此需要持續(xù)開發(fā)高解析度的PSS光阻劑。LED上游的藍寶石基板之研磨拋光制程方面，由于C面藍寶石基板廣泛使用于LED外延制程，A面藍寶石基板也運用于光學(xué)鏡片與3C產(chǎn)品的保護膜之中，可預(yù)見在未來幾年LED藍寶石研磨拋光液的市場將蓬勃發(fā)展。因此，未來將開發(fā)應(yīng)用于2英寸至6英寸藍寶石晶圓的拋光液相關(guān)產(chǎn)品。

永光化學(xué)于1998年設(shè)立電子化學(xué)事業(yè)處，歷經(jīng)十多年的研發(fā)與技術(shù)精進，成功推出I-line關(guān)鍵層光阻EPI626，解析度小于0.35μm，再加上市場上解析度最佳的G-line光阻EPG535，在半導(dǎo)體制程G/I-Line光阻上形成了完整的產(chǎn)品版圖。

永光將在I-Line黃光微影制程的產(chǎn)品方面持續(xù)開發(fā)更尖端及更高品質(zhì)的光阻劑，已上市的EPI626是I-Line更高解析度的關(guān)鍵層光阻劑(8英寸晶圓廠)。其黃光微影制程解析度達0.35μm;具有耐熱性佳、附著性佳、高感光性(較低的曝光能量)、較大的制程寬容度、在制程上比較容易加工以及擁有更佳解析度等特性。

厚膜光阻劑方面，主要供貨給硅晶圓廠以及被動元件廠商，具有高穿透性、附著性佳等特性，該產(chǎn)品經(jīng)黃光制程后，厚膜光阻呈現(xiàn)垂直圓形可應(yīng)用于金與銅的電鍍制程，以及進行金凸塊或銅線的制作，在不同參數(shù)的黃光制程操作下，其光阻圖形皆能維持高解析與不脆裂。