Fairchild高壓SPICE模型加速分離式元件設(shè)計(jì)

時(shí)間：2014-05-29 05:38:00

關(guān)鍵字： FAIRCHILD 元件高壓 SPICE模型

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[導(dǎo)讀]Fairchild宣布推出針對(duì)高壓分離式技術(shù)而開發(fā)的可擴(kuò)充、實(shí)體 SPICE層級(jí)模型，包括 IGBT(650V場(chǎng)截止溝槽)、超接面 FET (600V & 800V SuperFET　MOSFET)以及 HV 二極體 (STEALTH I、II 二極體與超快速系列)，讓設(shè)計(jì)人員

Fairchild宣布推出針對(duì)高壓分離式技術(shù)而開發(fā)的可擴(kuò)充、實(shí)體 SPICE層級(jí)模型，包括 IGBT(650V場(chǎng)截止溝槽)、超接面 FET (600V & 800V SuperFET　MOSFET)以及 HV 二極體 (STEALTH I、II 二極體與超快速系列)，讓設(shè)計(jì)人員不必再針對(duì)不同的元件大小和制程采用單獨(dú)的分離式元件模型。

快捷半導(dǎo)體的高壓 SPICE 模型是一種適用于整個(gè)技術(shù)平臺(tái)的實(shí)體模型，并非只是單純將不同大小和制程的單獨(dú)分離式元件集合而成的模型庫(kù)。它能夠記錄電路設(shè)計(jì)和制程制程的改動(dòng)。

在過去，高壓 (HV)分離式元件和產(chǎn)品開發(fā)需要經(jīng)過一個(gè)相當(dāng)耗時(shí)且連續(xù)的流程方法：先在 TCAD 中構(gòu)筑技術(shù)、接著將其制成實(shí)體元件并完成封裝、然后進(jìn)行各種測(cè)試、再根據(jù)所得結(jié)果返回開始調(diào)整，反覆循環(huán)。

由于設(shè)計(jì)人員模擬應(yīng)用電路依靠的是 SPICE 而非 TCAD，所以應(yīng)用的模擬及調(diào)整經(jīng)常要到技術(shù)開發(fā)流程相當(dāng)后期方可開始，因?yàn)橹挥写藭r(shí)才能得到矽元件的 SPICE 模型。而每當(dāng)元件尺寸有變動(dòng)或技術(shù)有調(diào)整，都不得不重新進(jìn)行新一輪的 TCAD 模擬、元件制作、元件測(cè)試周期，最后才能得到新的分離式元件 SPICE 模型，進(jìn)行新的應(yīng)用模擬。

現(xiàn)在，在融合大量的制程技術(shù)之后，快捷新開發(fā)以實(shí)體元件為基礎(chǔ)、可擴(kuò)充的 SPICE 模型已經(jīng)可以直接進(jìn)入設(shè)計(jì)周期的前期。透過新的 SPICE 模型，設(shè)計(jì)人員在制作元件之前即可模擬產(chǎn)品工作，大幅減少了「設(shè)計(jì)－制作」循環(huán)次數(shù)，因而有效降低了成本、縮短了產(chǎn)品上市時(shí)間。

「在Fairchild，我們專注于提供用于高水準(zhǔn)大電壓電路設(shè)計(jì)平臺(tái)」，F(xiàn)airchild全球銷售和應(yīng)用資深副總裁 Chris Allexandre 說道。「這些新的 SPICE 模型可支援虛擬原型制作，有助于我們的客戶在開發(fā)新產(chǎn)品時(shí)提高速度、縮短上市時(shí)間，符合我們以優(yōu)異服務(wù)向客戶提供現(xiàn)實(shí)價(jià)值的承諾」。