3D NAND Flash成趨勢(shì) 各大廠商“摩拳擦掌”

近日，東芝(Toshiba)宣布改建日本四日市廠區(qū)的第二廠房，與新帝于同地點(diǎn)攜手興建3D NAND Flash的全新廠房。兩廠期待投入資金興建全新廠房，能為后續(xù)帶來更大效益，在價(jià)格競爭中取得優(yōu)勢(shì)。

東芝表示，興建新晶圓廠將有助東芝與新帝將現(xiàn)有2D NAND技術(shù)轉(zhuǎn)變至3D NAND技術(shù)，預(yù)計(jì)于2016年初量產(chǎn)3D NAND。

目前數(shù)據(jù)儲(chǔ)存中心系統(tǒng)開始選擇安裝固態(tài)儲(chǔ)存設(shè)備，不是結(jié)合轉(zhuǎn)動(dòng)型磁碟設(shè)備(Spinning Disk)就是搭配全快閃存儲(chǔ)器陣列(All-Flash Arrays)。

固態(tài)儲(chǔ)存模組通常使用2D NAND技術(shù)，亦即芯片內(nèi)的儲(chǔ)存單元平行排列于2D網(wǎng)格。至于以3D NAND技術(shù)制造的芯片，其儲(chǔ)存單元?jiǎng)t是層層堆疊起來。 3D NAND Flash效能將更為卓越，不僅增加50%芯片儲(chǔ)存容量，亦能延長設(shè)備使用壽命。

從2D NAND技術(shù)轉(zhuǎn)變?yōu)?D NAND技術(shù)是必然趨勢(shì)。未來2~3年，資料中心將開始使用3D NAND技術(shù)。不過，制造商的3D NAND模組生產(chǎn)之路并不會(huì)一帆風(fēng)順。目前四大制造商皆已宣布興建3D NAND廠的計(jì)畫。不過，各大制造商興建方式與使用的技術(shù)組合皆不相同。

三星電子(Samsung Electronics)是最早宣布采用垂直堆疊3D V-NAND制程的制造商。 2013年8月，三星宣布以現(xiàn)有廠房量產(chǎn)3D V-NAND。三星表示新產(chǎn)品寫入速度可達(dá)到原來產(chǎn)品的2倍，芯片包含24層堆疊的儲(chǔ)存單元。然而，盡管供應(yīng)商亟欲測(cè)試此產(chǎn)品，三星至今仍未發(fā)送出V-NAND樣品。

現(xiàn)在東芝與新帝共同宣布興建主要生產(chǎn)3D NAND的制造廠，使用不同的制造技術(shù)。這兩大廠商認(rèn)為目前廠房不足以研發(fā)生產(chǎn)3D NAND，投入大量資金興建新廠。

制造商除了要具備量產(chǎn)高品質(zhì)3D NAND的能力，如何制造出具有價(jià)格競爭力的產(chǎn)品是另一大挑戰(zhàn)。三星認(rèn)為利用現(xiàn)有廠房就能生產(chǎn)出具有競爭力的產(chǎn)品;東芝與新帝目前認(rèn)為破舊立新才是可行之路。

而將與英特爾(Intel)合作的美光(Micron)，以及SK海力士(SK Hynix)則尚未明確表明其生產(chǎn)方式及量產(chǎn)時(shí)程。不論如何，目前可以肯定的是3D NAND將從2015年起逐漸取代2D NAND，至2016年價(jià)格將更具競爭力。

現(xiàn)在許多企業(yè)的資料中心已轉(zhuǎn)而使用全快閃存儲(chǔ)器陣列，某公司資料中心管理人員甚至表示，再不完美的應(yīng)用程式(App)，搭配全快閃存儲(chǔ)器陣列都能運(yùn)行得順暢。

許多管理人員認(rèn)為，不久的將來所有主要資料中心都將轉(zhuǎn)而使用固態(tài)硬碟(SSD)設(shè)備。目前已安裝全快閃存儲(chǔ)器儲(chǔ)存系統(tǒng)的資料中心洞燭先機(jī)，可以準(zhǔn)備迎向3D NAND技術(shù)。