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[導(dǎo)讀]【導(dǎo)讀】根據(jù)DIGITIMES最新統(tǒng)計(jì)結(jié)果,去除2家IC設(shè)計(jì)業(yè)者,2012年全球前10大半導(dǎo)體廠商依序?yàn)橛⑻貭?Intel)、三星電子(Samsung Electronics)、臺積電、德州儀器(Texas Instruments)、東芝(Toshiba)、瑞薩電子(Renesas

【導(dǎo)讀】根據(jù)DIGITIMES最新統(tǒng)計(jì)結(jié)果,去除2家IC設(shè)計(jì)業(yè)者,2012年全球前10大半導(dǎo)體廠商依序?yàn)?strong>英特爾(Intel)、三星電子(Samsung Electronics)、臺積電、德州儀器(Texas Instruments)、東芝(Toshiba)、瑞薩電子(Renesas Electronics)、SK海力士(SK Hynix)及意法半導(dǎo)體。

摘要:  根據(jù)DIGITIMES最新統(tǒng)計(jì)結(jié)果,去除2家IC設(shè)計(jì)業(yè)者,2012年全球前10大半導(dǎo)體廠商依序?yàn)橛⑻貭?Intel)、三星電子(Samsung Electronics)、臺積電、德州儀器(Texas Instruments)、東芝(Toshiba)、瑞薩電子(Renesas Electronics)、SK海力士(SK Hynix)及意法半導(dǎo)體。

關(guān)鍵字:  英特爾,三星電子半導(dǎo)體

根據(jù)DIGITIMES最新統(tǒng)計(jì)結(jié)果,去除2家IC設(shè)計(jì)業(yè)者,2012年全球前10大半導(dǎo)體廠商依序?yàn)橛⑻貭?Intel)、三星電子(Samsung Electronics)、臺積電、德州儀器(Texas Instruments)、東芝(Toshiba)、瑞薩電子(Renesas Electronics)、SK海力士(SK Hynix)及意法半導(dǎo)體。

觀察2012~2013年主要半導(dǎo)體大廠資本支出變化,英特爾與臺積電均將較2012年增加,三星電子、東芝可望持平,SK海力士將較2012年減少,至于采輕晶圓廠策略的瑞薩電子、德州儀器及意法半導(dǎo)體2013年仍將維持在低資本支出水位。

2013年英特爾資本支出將較2012年增加18.2%,達(dá)130億美元,除持續(xù)提升22納米制程占產(chǎn)能比重外,亦將投入18寸晶圓與14、10、7、5納米等更先進(jìn)制程研發(fā),以生產(chǎn)效能更佳的處理器。

三星電子半導(dǎo)體事業(yè)資本支出自2009年僅32億美元持續(xù)增加至2012年123億美元,已連續(xù)3年成長,然2013年預(yù)估將小幅減少至120億美元,其存儲器事業(yè)投資重點(diǎn)包括持續(xù)提升DRAM 28納米制程占產(chǎn)能比重、續(xù)建大陸西安NAND Flash新廠,及推動NAND Flash朝21、16納米制程邁進(jìn),而系統(tǒng)IC事業(yè)則將以擴(kuò)充德州奧斯丁廠產(chǎn)能,及重啟韓國華城廠第17產(chǎn)線興建計(jì)畫為主。

2013年臺積電資本支出將自2012年83億美元增加至95億~100億美元,主要將用于布建28、20及16納米制程產(chǎn)能。日廠東芝2013年資本支出可望持平在20億美元,主要將用于投入NAND Flash 1y納米制程研發(fā)。

SK 海力士資本支出自2009年僅8億美元持續(xù)增加至2012年35億美元,呈現(xiàn)連續(xù)3年成長態(tài)勢,然2013年預(yù)計(jì)將減少至26億美元。2013年SK海力 士不僅將推動其DRAM自35納米升級至28納米制程,NAND Flash自27納米升級21納米制程,更計(jì)劃于其晶圓代工產(chǎn)線切入更高階芯片生產(chǎn)。

另外,韓廠三星與SK海力士雖2013年半導(dǎo)體事業(yè)資本支出均將較2012年減少,主要用于先進(jìn)制程產(chǎn)能的布建,但對于透過購并公司以布局半導(dǎo)體相關(guān)技術(shù)的態(tài)度將更加積極,此透露出韓國半導(dǎo)體廠商漸不局限于僅投資在設(shè)備或廠房,更重視半導(dǎo)體元件技術(shù)布局的完整性。

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