英飛凌40V OptiMOSTM T2功率晶體管榮獲OFweek2013電子行業(yè)年度技術(shù)創(chuàng)新獎(jiǎng)
摘要： 2013年4月12日，上?！?月11日下午， OFweek光電新聞網(wǎng) (以下簡(jiǎn)稱OFweek)和OFweek電子工程網(wǎng)在深圳聯(lián)合主辦了2013電子行業(yè)年度評(píng)選活動(dòng)，英飛凌科技公司(FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY，以下簡(jiǎn)稱英飛凌)產(chǎn)品40V OptiMOSTM T2功率晶體管榮獲了技術(shù)創(chuàng)新獎(jiǎng)。英飛凌科技(中國(guó))有限公司汽車電子事業(yè)部市場(chǎng)總監(jiān)杜曦先生出席了頒獎(jiǎng)儀式并代表英飛凌領(lǐng)取了該獎(jiǎng)。
關(guān)鍵字： 英飛凌，MOSFET，無(wú)鉛芯片貼裝
英飛凌40 V OptiMOSTM T2功率MOSFET器件結(jié)合采用了創(chuàng)新的封裝技術(shù)和英飛凌的薄晶圓工藝，規(guī)格性能超出同類所有其他產(chǎn)品。英飛凌采用擴(kuò)散焊接芯片貼裝工藝生產(chǎn)TO-220、TO-262和TO-263等無(wú)鉛封裝。鑒于對(duì)于封裝幾何結(jié)構(gòu)、芯片焊墊厚度和芯片尺寸的特定要求，擴(kuò)散焊接芯片貼裝工藝到目前為止是世界上唯一可以實(shí)現(xiàn)上述三種封裝的生產(chǎn)工藝。
這些MOSFET系列器件使得英飛凌不但率先達(dá)成現(xiàn)行的RoHS(有害物質(zhì)限制指令)有關(guān)用于將芯片附著到封裝的鉛基焊料的要求，而且可以滿足即將在2014年之后實(shí)施的更嚴(yán)格的ELV RoHS指令要求。作為業(yè)界第一款完全無(wú)鉛的MOSFET，英飛凌的這些器件可幫助客戶滿足目前和將來(lái)這方面的嚴(yán)格要求。
英飛凌獲得專利的無(wú)鉛芯片貼裝(芯片和封裝引線框架之間互聯(lián))采用擴(kuò)散焊接方法，可改善芯片的電氣和熱性能、可制造性和質(zhì)量。這種芯片貼裝技術(shù)結(jié)合英飛凌的薄晶圓工藝(60微米，而不是標(biāo)準(zhǔn)的175微米)可讓電力半導(dǎo)體器件實(shí)現(xiàn)如下幾大改善：
Ÿ 因?yàn)椴徊捎勉U和其他有毒材料，因此是一項(xiàng)環(huán)保技術(shù)
Ÿ 結(jié)合采用擴(kuò)散焊接芯片貼裝工藝和薄晶圓技術(shù)，可顯著降低器件的導(dǎo)通電阻(RDS(on))
Ÿ 熱阻(RthJC)改善40%至50%，因?yàn)閭鹘y(tǒng)鉛基軟焊材料的導(dǎo)熱性較差，阻礙了MOSFET結(jié)上產(chǎn)生的熱量的消散
Ÿ 由于不存在溢焊和芯片傾斜現(xiàn)象，而且沒(méi)有更嚴(yán)格的RDS(on) 和RthJC分布要求， 結(jié)果改善了芯片的可制造性。由于產(chǎn)品內(nèi)部的電機(jī)壓力得以降低，進(jìn)而可改善產(chǎn)品的可靠性和質(zhì)量
OptiMOS T2 40V——即IPB160N04S4-02D的規(guī)格為：電流160A;RDS(on)僅2.0mΩ;RthJC為0.9K/W。與采用標(biāo)準(zhǔn)鉛基芯片貼裝焊接工藝的同類器件相比，導(dǎo)通電阻降低20%。此外，采用英飛凌獲得專利的擴(kuò)散焊接工藝降低了“芯片到引線框架”的熱阻，使得OptiMOS T2具備同類最佳性能。
英飛凌科技(中國(guó))有限公司汽車電子事業(yè)部市場(chǎng)總監(jiān)杜曦先生表示：“很榮幸我們獲得了OFweek2013電子行業(yè)年度技術(shù)創(chuàng)新獎(jiǎng)，非常感謝OFweek以及業(yè)界對(duì)我們公司及產(chǎn)品的認(rèn)可。英飛凌一直以來(lái)都十分強(qiáng)調(diào)創(chuàng)新精神，以滿足客戶和市場(chǎng)快速發(fā)展的需求，這也是成就英飛凌公司成為全球汽車半導(dǎo)體器件供貨商的驅(qū)動(dòng)力，使得英飛凌公司在過(guò)去十多年里能保持功率器件出貨量第一的位置。我們公司將不斷加大在創(chuàng)新方面的投入，為廣大客戶帶來(lái)更多更好的產(chǎn)品。”
下載文檔
