2014年底可望看到FinFET架構(gòu)芯片?
摘要: 在新思科技(Synopsys)于美國(guó)硅谷舉行年度使用者大會(huì)上,參與一場(chǎng)座談會(huì)的產(chǎn)業(yè)專家表示,鰭式電晶體(FinFET)雖有發(fā)展?jié)摿Γ灿酗L(fēng)險(xiǎn),而且該技術(shù)的最佳時(shí)機(jī)尚未達(dá)到。
關(guān)鍵字: 處理器,電晶體,芯片
在新思科技(Synopsys)于美國(guó)硅谷舉行年度使用者大會(huì)上,參與一場(chǎng)座談會(huì)的產(chǎn)業(yè)專家表示,鰭式電晶體(FinFET)雖有發(fā)展?jié)摿Γ灿酗L(fēng)險(xiǎn),而且該技術(shù)的最佳時(shí)機(jī)尚未達(dá)到。
來自晶圓代工業(yè)者Globalfoundries 的技術(shù)主管指出,該種3D電晶體架構(gòu)將在14納米制程節(jié)點(diǎn)帶來性能的提升,功耗也會(huì)比目前28納米制程降低60%;不過也有其他與會(huì)專家指出,該種電晶體架構(gòu)因?yàn)殡娙菰黾?,使得一些設(shè)計(jì)上的老問題更加嚴(yán)重,同時(shí)帶來新挑戰(zhàn)。
處理器設(shè)計(jì)業(yè)者Cavium Networks的IC工程副總裁Anil Jain表示,與目前的28納米制程相較,F(xiàn)inFET每微米(micron)閘極電容(gate capacitance)增加了66%的電容,回到與過去130納米節(jié)點(diǎn)平面電晶體架構(gòu)的水準(zhǔn);他補(bǔ)充指出,電容會(huì)讓高階芯片的性能提升與動(dòng)態(tài)功率微縮 (dynamic power scaling)受限。
“我們擁有這些美麗的(3D)電晶體,但我們無法讓它們跑太遠(yuǎn),”Jain指出,“動(dòng)態(tài)功率會(huì)失控?!贝送?,他也表示,“我們這些設(shè)計(jì)高性能元件的人,還沒看到核心電壓(core voltage)微縮方面有太多改善?!?/P>
Jain呼吁EDA供應(yīng)商提供在控制交換功率與隔離電磁缺陷(isolating electromagnetic faults)方面表現(xiàn)更好的設(shè)計(jì)工具,“FinFET并非容易轉(zhuǎn)換的技術(shù),直到成功的那天我們都得為此付出代價(jià),所以拜托不要讓我們傾家蕩產(chǎn)。”
高通(Qualcomm)芯片設(shè)計(jì)部門工程副總裁Michael Campbell則表示,不同晶圓代工廠的FinFET架構(gòu),“很類似,但并非完全一樣。你只能在特定的方向蝕刻,而且蝕刻工具是共用的──這些是它們有相似性的原因──但各家晶圓代工廠其實(shí)在空間壁(spatial walls)與擴(kuò)散(diffusion)方面用的技巧不同?!?/P>
Campbell指出,從英特爾(Intell)的22納米FinFET 圖片可以看到不規(guī)則的錐狀壁(tapered wall),那可能會(huì)沖擊平面電晶體的缺陷模型,這需要新的測(cè)試技術(shù)以及非常密切的合作伙伴關(guān)系,才能完成適當(dāng)?shù)目蓽y(cè)試設(shè)計(jì)。
而Campbell表示,在EDA領(lǐng)域,新思的Yield Explorer是很不錯(cuò)的工具,但仍是鎖定平面電晶體架構(gòu)──該公司需要推出針對(duì)3D電晶體架構(gòu)的工具。他指出,無論是新思或其他EDA供應(yīng)商的設(shè)計(jì)工具,都嚴(yán)重缺乏將簡(jiǎn)易的ATE圖形壓縮的方案,以供向后查找缺陷。
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2014年底可望看到FinFET架構(gòu)芯片?
如果以上的問題能獲得解決,Jain與Campbell都預(yù)期會(huì)在2014年底看到一些首批14納米FinFET芯片問世。
“我會(huì)說該制程技術(shù)已經(jīng)接近準(zhǔn)備就緒,但設(shè)計(jì)流程還在開發(fā)階段?!盋ampbell表示,“目前我們已經(jīng)打造出2,000萬閘的(14納米FinFET)測(cè)試芯片,但未來商用產(chǎn)品將會(huì)達(dá)到20億閘?!彼恼f法為該技術(shù)的未來發(fā)展提供了一些評(píng)量參考。
新思IP核心業(yè)務(wù)總經(jīng)理Joachim Kunkel則從另一種角度提供了FinFET技術(shù)迄今進(jìn)展的概要,他的部門在2012年4月完成20納米測(cè)試芯片投片,采用雙重圖形(double patterning),展現(xiàn)可運(yùn)作的MIPI、PCI Express與USB等介面功能;接下來的14納米芯片會(huì)是功能比較簡(jiǎn)單的元件,主要鎖定記憶體功能,不過還未出廠。
“FinFET的設(shè)計(jì)參數(shù)跟平面電晶體大不相同?!盞unkel指出,“目前各家晶圓代工廠FinFET制程之間的差異性很明顯,讓我們每次(進(jìn)行IP開發(fā))時(shí)都得重頭開始;而且大多數(shù)FinFET制程與設(shè)計(jì)工具仍在開發(fā)階段,也讓該工作加重?!?/P>
高通的Campell補(bǔ)充,F(xiàn)inFET會(huì)讓你需要徹底重新評(píng)估元件架構(gòu)──包括區(qū)分元件以及最佳化的方法──這是一大改變。無論如何,如 Globalfoundries設(shè)計(jì)解決方案副總裁Subramani Kengeri所言“整個(gè)產(chǎn)業(yè)界正在嘗試達(dá)成第一代FinFET元件的及時(shí)量產(chǎn)(time to volume)?!?/P>
Kengeri 指出,為了趕上已經(jīng)量產(chǎn)22納米FinFET制程的英特爾,晶圓代工業(yè)者已經(jīng)同意采取兩個(gè)步驟:一是因應(yīng)20納米節(jié)點(diǎn)采用193納米微影、雙重圖形技術(shù)的需求,二是在仍采用20納米制作“后段(back end)”互連導(dǎo)線的制程節(jié)點(diǎn),將14納米FinFET加入“前段(front end)”制程運(yùn)用的元件。
三星(Samsung)邏輯元件基礎(chǔ)架構(gòu)設(shè)計(jì)中心資深副總裁Kyu-Myung Choi重申,該公司已經(jīng)承諾在2013年底將讓“風(fēng)險(xiǎn)量產(chǎn)(risk production)”用的14納米FinFET制程準(zhǔn)備就緒;而Choi與Kengeri都表示,目前14納米節(jié)點(diǎn)的良率以及性能表現(xiàn)都合乎預(yù)期。