2014年底可望看到FinFET架構(gòu)芯片?

摘要：  在新思科技(Synopsys)于美國硅谷舉行年度使用者大會上，參與一場座談會的產(chǎn)業(yè)專家表示，鰭式電晶體(FinFET)雖有發(fā)展?jié)摿Γ灿酗L(fēng)險，而且該技術(shù)的最佳時機(jī)尚未達(dá)到。

關(guān)鍵字：  處理器，電晶體，芯片

在新思科技(Synopsys)于美國硅谷舉行年度使用者大會上，參與一場座談會的產(chǎn)業(yè)專家表示，鰭式電晶體(FinFET)雖有發(fā)展?jié)摿?，但也有風(fēng)險，而且該技術(shù)的最佳時機(jī)尚未達(dá)到。

來自晶圓代工業(yè)者Globalfoundries 的技術(shù)主管指出，該種3D電晶體架構(gòu)將在14納米制程節(jié)點(diǎn)帶來性能的提升，功耗也會比目前28納米制程降低60%;不過也有其他與會專家指出，該種電晶體架構(gòu)因為電容增加，使得一些設(shè)計上的老問題更加嚴(yán)重，同時帶來新挑戰(zhàn)。

處理器設(shè)計業(yè)者Cavium Networks的IC工程副總裁Anil Jain表示，與目前的28納米制程相較，F(xiàn)inFET每微米(micron)閘極電容(gate capacitance)增加了66%的電容，回到與過去130納米節(jié)點(diǎn)平面電晶體架構(gòu)的水準(zhǔn);他補(bǔ)充指出，電容會讓高階芯片的性能提升與動態(tài)功率微縮 (dynamic power scaling)受限。

“我們擁有這些美麗的(3D)電晶體，但我們無法讓它們跑太遠(yuǎn)，”Jain指出，“動態(tài)功率會失控?！贝送?，他也表示，“我們這些設(shè)計高性能元件的人，還沒看到核心電壓(core voltage)微縮方面有太多改善?！?/P>

Jain呼吁EDA供應(yīng)商提供在控制交換功率與隔離電磁缺陷(isolating electromagnetic faults)方面表現(xiàn)更好的設(shè)計工具，“FinFET并非容易轉(zhuǎn)換的技術(shù)，直到成功的那天我們都得為此付出代價，所以拜托不要讓我們傾家蕩產(chǎn)?！?/P>

高通(Qualcomm)芯片設(shè)計部門工程副總裁Michael Campbell則表示，不同晶圓代工廠的FinFET架構(gòu)，“很類似，但并非完全一樣。你只能在特定的方向蝕刻，而且蝕刻工具是共用的──這些是它們有相似性的原因──但各家晶圓代工廠其實在空間壁(spatial walls)與擴(kuò)散(diffusion)方面用的技巧不同?！?/P>

Campbell指出，從英特爾(Intell)的22納米FinFET 圖片可以看到不規(guī)則的錐狀壁(tapered wall)，那可能會沖擊平面電晶體的缺陷模型，這需要新的測試技術(shù)以及非常密切的合作伙伴關(guān)系，才能完成適當(dāng)?shù)目蓽y試設(shè)計。

而Campbell表示，在EDA領(lǐng)域，新思的Yield Explorer是很不錯的工具，但仍是鎖定平面電晶體架構(gòu)──該公司需要推出針對3D電晶體架構(gòu)的工具。他指出，無論是新思或其他EDA供應(yīng)商的設(shè)計工具，都嚴(yán)重缺乏將簡易的ATE圖形壓縮的方案，以供向后查找缺陷。

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2014年底可望看到FinFET架構(gòu)芯片?

如果以上的問題能獲得解決，Jain與Campbell都預(yù)期會在2014年底看到一些首批14納米FinFET芯片問世。

“我會說該制程技術(shù)已經(jīng)接近準(zhǔn)備就緒，但設(shè)計流程還在開發(fā)階段。”Campbell表示，“目前我們已經(jīng)打造出2，000萬閘的(14納米FinFET)測試芯片，但未來商用產(chǎn)品將會達(dá)到20億閘。”他的說法為該技術(shù)的未來發(fā)展提供了一些評量參考。

新思IP核心業(yè)務(wù)總經(jīng)理Joachim Kunkel則從另一種角度提供了FinFET技術(shù)迄今進(jìn)展的概要，他的部門在2012年4月完成20納米測試芯片投片，采用雙重圖形(double patterning)，展現(xiàn)可運(yùn)作的MIPI、PCI Express與USB等介面功能;接下來的14納米芯片會是功能比較簡單的元件，主要鎖定記憶體功能，不過還未出廠。

“FinFET的設(shè)計參數(shù)跟平面電晶體大不相同?！盞unkel指出，“目前各家晶圓代工廠FinFET制程之間的差異性很明顯，讓我們每次(進(jìn)行IP開發(fā))時都得重頭開始;而且大多數(shù)FinFET制程與設(shè)計工具仍在開發(fā)階段，也讓該工作加重?！?/P>

高通的Campell補(bǔ)充，F(xiàn)inFET會讓你需要徹底重新評估元件架構(gòu)──包括區(qū)分元件以及最佳化的方法──這是一大改變。無論如何，如 Globalfoundries設(shè)計解決方案副總裁Subramani Kengeri所言“整個產(chǎn)業(yè)界正在嘗試達(dá)成第一代FinFET元件的及時量產(chǎn)(time to volume)?！?/P>

Kengeri 指出，為了趕上已經(jīng)量產(chǎn)22納米FinFET制程的英特爾，晶圓代工業(yè)者已經(jīng)同意采取兩個步驟：一是因應(yīng)20納米節(jié)點(diǎn)采用193納米微影、雙重圖形技術(shù)的需求，二是在仍采用20納米制作“后段(back end)”互連導(dǎo)線的制程節(jié)點(diǎn)，將14納米FinFET加入“前段(front end)”制程運(yùn)用的元件。

三星(Samsung)邏輯元件基礎(chǔ)架構(gòu)設(shè)計中心資深副總裁Kyu-Myung Choi重申，該公司已經(jīng)承諾在2013年底將讓“風(fēng)險量產(chǎn)(risk production)”用的14納米FinFET制程準(zhǔn)備就緒;而Choi與Kengeri都表示，目前14納米節(jié)點(diǎn)的良率以及性能表現(xiàn)都合乎預(yù)期。