Vishay器件榮獲《中國(guó)電子商情》的編輯選擇獎(jiǎng)

時(shí)間：2014-06-06 14:39:31

關(guān)鍵字： Vishay 中國(guó)電子器件 BSP

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[導(dǎo)讀]【導(dǎo)讀】賓夕法尼亞、MALVERN — 2013 年 3 月21 日 — 日前，Vishay Intertechnology， Inc.(NYSE 股市代號(hào)：VSH)宣布，該公司的20V P溝道功率MOSFET Si7655DN和高性能鍍金屬直流聚丙烯薄膜電容器MKP1848S分別榮獲《

【導(dǎo)讀】賓夕法尼亞、MALVERN — 2013 年 3 月21 日 — 日前，Vishay Intertechnology， Inc.(NYSE 股市代號(hào)：VSH)宣布，該公司的20V P溝道功率MOSFET Si7655DN和高性能鍍金屬直流聚丙烯薄膜電容器MKP1848S分別榮獲《中國(guó)電子商情》(CEM)雜志2012年度編輯選擇獎(jiǎng)的“中國(guó)最具競(jìng)爭(zhēng)力功率器件產(chǎn)品獎(jiǎng)”和“中國(guó)最具競(jìng)爭(zhēng)力電容器產(chǎn)品獎(jiǎng)”。

摘要：賓夕法尼亞、MALVERN — 2013 年 3 月21 日 — 日前，Vishay Intertechnology， Inc.(NYSE 股市代號(hào)：VSH)宣布，該公司的20V P溝道功率MOSFET Si7655DN和高性能鍍金屬直流聚丙烯薄膜電容器MKP1848S分別榮獲《中國(guó)電子商情》(CEM)雜志2012年度編輯選擇獎(jiǎng)的“中國(guó)最具競(jìng)爭(zhēng)力功率器件產(chǎn)品獎(jiǎng)”和“中國(guó)最具競(jìng)爭(zhēng)力電容器產(chǎn)品獎(jiǎng)”。

關(guān)鍵字： 編輯選擇獎(jiǎng)，Vishay，MOSFET

《中國(guó)電子商情》2012年度編輯選擇獎(jiǎng)的獲獎(jiǎng)產(chǎn)品是根據(jù)在中國(guó)市場(chǎng)的銷售業(yè)績(jī)和技術(shù)創(chuàng)新選出的。Vishay的Si7655DN和MKP1848S因其在功率器件和電容器類產(chǎn)品中優(yōu)異表現(xiàn)而獲獎(jiǎng)。

Vishay Siliconix Si7655DN是業(yè)界首款采用3.3mm x 3.3mm封裝的20V P溝道MOSFET，在4.5V柵極驅(qū)動(dòng)下的最大導(dǎo)通電阻只有4.8mΩ。這款MOSFET的導(dǎo)通電阻比最接近的20V器件低17%或更多，使設(shè)計(jì)者能夠在其電路中實(shí)現(xiàn)更低的壓降，在便攜式電子產(chǎn)品中更有效地使用能量，讓電池的使用壽命更長(zhǎng)。Si7655DN也是首款采用新版本PowerPAK®封裝的器件，高度比通常的0.75mm還要低28%。

對(duì)于DC-link應(yīng)用，Vishay Roederstein MKP1848S采用薄型設(shè)計(jì)，具有2µF～100µF的業(yè)內(nèi)最寬CV范圍，電壓等級(jí)為500VDC、700VDC和1000VDC。薄型MKP1848S為設(shè)計(jì)者提供了很多針對(duì)特定應(yīng)用的選項(xiàng)，具有12mm、15mm、18mm和24mm四種高度。在標(biāo)稱直流電壓和+70℃下，MKP1848S的壽命超過(guò)10萬(wàn)小時(shí)，適用于逆變器、電源、太陽(yáng)能微逆變器、板上充電器(EV/HEV)、水泵和LED驅(qū)動(dòng)器。

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《中國(guó)電子商情》2012年度編輯選擇獎(jiǎng)的獲獎(jiǎng)產(chǎn)品公布在雜志的2013年1月刊上。

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