飛兆半導(dǎo)體榮獲中國(guó)Top-10電源產(chǎn)品獎(jiǎng)

摘要：  全球領(lǐng)先的高性能功率和便攜解決方案供應(yīng)商飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor) 宣布，該公司在全國(guó)領(lǐng)先電子行業(yè)媒體《今日電子》與21ic舉辦的Top-10電源產(chǎn)品獎(jiǎng)中，榮獲“最佳開(kāi)發(fā)獎(jiǎng)”。

關(guān)鍵字：  最佳開(kāi)發(fā)獎(jiǎng)，  飛兆半導(dǎo)體

全球領(lǐng)先的高性能功率和便攜解決方案供應(yīng)商飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor) 宣布，該公司在全國(guó)領(lǐng)先電子行業(yè)媒體《今日電子》與21ic舉辦的Top-10電源產(chǎn)品獎(jiǎng)中，榮獲“最佳開(kāi)發(fā)獎(jiǎng)”。

飛兆半導(dǎo)體憑著FDPC8011S 25V雙功率芯片非對(duì)稱N溝道模塊 獲得這一獎(jiǎng)項(xiàng)。產(chǎn)品采用3.3x3.3mm2封裝，設(shè)計(jì)用于在更小的線路板空間提供更高功率密度和更高效率。Top-10電源產(chǎn)品獎(jiǎng)的提名產(chǎn)品均按照“在技術(shù)或應(yīng)用方面取得顯著進(jìn)步”， “具有開(kāi)創(chuàng)性的設(shè)計(jì)”， “性價(jià)比顯著提高”這三個(gè)標(biāo)準(zhǔn)評(píng)選。

FDPC8011S在一個(gè)采用全Clip封裝內(nèi)集成1.4mΩ SyncFETTM 技術(shù)和一個(gè)5.4mΩ控制MOSFET、低質(zhì)量因子的N溝道MOSFET，有助于減少同步降壓應(yīng)用中的電容數(shù)量并減小電感尺寸。該器件具有源極朝下和低側(cè)MOSFET可以實(shí)現(xiàn)簡(jiǎn)單的布局和布線，提供更緊湊的線路板布局并獲得最佳的散熱性能。FDPC8011S具有超過(guò)25A的輸出電流，與其它普通3x3mm2 雙MOSFET器件相比，輸出電流容量提高了2倍。

獲獎(jiǎng)的FDPC8011S是飛兆半導(dǎo)體齊全的先進(jìn)MOSFET技術(shù)產(chǎn)品系列的一部分，它能夠?yàn)?strong>電源設(shè)計(jì)人員提供了大量針對(duì)任務(wù)關(guān)鍵性高效信息處理設(shè)計(jì)的解決方案。