惠普預計記憶電阻器將于2014年商用

【導讀】早前，惠普公司聲稱他們將在2013年可以發(fā)售裝載記憶電阻器的計算產(chǎn)品。不過最近，惠普記憶變阻器研發(fā)小組的負責人Stan Williams表示這個發(fā)售時間可能要推遲到14年或者更晚。Willimams解釋道推遲的最主要原因是并非是科研上的技術壓力，而是經(jīng)濟方面的壓力。

摘要：  早前，惠普公司聲稱他們將在2013年可以發(fā)售裝載記憶電阻器的計算產(chǎn)品。不過最近，惠普記憶變阻器研發(fā)小組的負責人Stan Williams表示這個發(fā)售時間可能要推遲到14年或者更晚。Willimams解釋道推遲的最主要原因是并非是科研上的技術壓力，而是經(jīng)濟方面的壓力。

關鍵字：  惠普，電阻器，晶體管，電壓

　　早前，惠普公司聲稱他們將在2013年可以發(fā)售裝載記憶電阻器的計算產(chǎn)品。不過最近，惠普記憶變阻器研發(fā)小組的負責人Stan Williams表示這個發(fā)售時間可能要推遲到14年或者更晚。Willimams解釋道推遲的最主要原因是并非是科研上的技術壓力，而是經(jīng)濟方面的壓力。惠普于2008年宣布投入開發(fā)研究記憶電阻器的工作中。

　　

　　Williams表示，模擬中，一個記憶電阻器的功率等同于10個晶體管的功率，因為它不是使用打開或者關閉模式來代表晶體管上的0或者1，它使用的是一個涵蓋了所有電壓的模擬值。

　　記憶變阻器可以為固態(tài)硬盤提供更加小型而快速的原件。不過由于越來越少的記憶變阻器用于晶體管中，所以這些儲存設備可能要比DRAM儲存的價格還要低。