臺(tái)積電遭UniRAM指控 判賠3，050萬(wàn)美元

【導(dǎo)讀】臺(tái)積電遭UniRAM指控 判賠3，050萬(wàn)美元
    臺(tái)積電證實(shí)，舊金山聯(lián)邦地方法院確實(shí)認(rèn)定臺(tái)積電對(duì)UniRAM公司所指控不當(dāng)使用營(yíng)業(yè)秘密的案件必須支付3，050萬(wàn)美元做為賠償，但據(jù)臺(tái)積電了解，此案僅是初判，未來(lái)仍可進(jìn)行審判后的救濟(jì)，并得就此案繼續(xù)上訴。臺(tái)積電法務(wù)長(zhǎng)暨副總杜東佑表示，未來(lái)將采取一切可能的行動(dòng)保護(hù)自身權(quán)益。    

    此外，臺(tái)積電表示，過(guò)去一向秉持最高標(biāo)準(zhǔn)來(lái)尊重知識(shí)產(chǎn)權(quán)，因此對(duì)此案陪審團(tuán)初判的裁決并不認(rèn)同。外界推測(cè)，雖然賠償金相當(dāng)于約新臺(tái)幣10億元，對(duì)于現(xiàn)金充裕的臺(tái)積電而言如「九牛一毛」，但臺(tái)積電將據(jù)理力爭(zhēng)，不該付的賠償金絕不妥協(xié)。至于初判賠償金，未來(lái)是否將納入財(cái)報(bào)中認(rèn)列，臺(tái)積電則未予置評(píng)。     

    UniRAM成立于1998年，主要從事高效能內(nèi)存IC的設(shè)計(jì)研發(fā)，并將其成功開(kāi)發(fā)的硅智財(cái)IP對(duì)外進(jìn)行技術(shù)授權(quán)，以收取權(quán)利金，營(yíng)運(yùn)模式類(lèi)似目前內(nèi)存DDR、DDR2技術(shù)授權(quán)知名業(yè)者Rambus，而目前Rambus也與美光(Micron)、三星電子(SamsungElectronics)、海力士(Hynix)及島內(nèi)DRAM業(yè)者南亞科亦進(jìn)行訴訟之中。     

    2004年UniRAM也曾與內(nèi)存IP授權(quán)業(yè)者M(jìn)osys發(fā)生過(guò)專(zhuān)利訴訟，但后來(lái)雙方達(dá)成和解，Mosys向UniRAM償付240萬(wàn)美元。而這次UniRAM所控告的臺(tái)積電，近年來(lái)積極投入系統(tǒng)單芯片(SoC)領(lǐng)域并布局嵌入式內(nèi)存產(chǎn)品代工，過(guò)去也曾與Mosys也過(guò)合作關(guān)系。盡管UniRAM及臺(tái)積電對(duì)于此案究竟事涉哪些相關(guān)的「營(yíng)業(yè)秘密」皆三緘其口，但外界預(yù)料，臺(tái)積電將訴諸各種行動(dòng)，力爭(zhēng)權(quán)益到底，因此距離此案終判，還需一段時(shí)日觀察。     

    目前臺(tái)積電布局嵌入式內(nèi)存市場(chǎng)愈發(fā)積極，其中eDRAM工藝技術(shù)已開(kāi)發(fā)90、65納米工藝2個(gè)世代，并積極著手邁入下一世代55納米工藝技術(shù)，半導(dǎo)體業(yè)者認(rèn)為，隨著臺(tái)積電對(duì)于嵌入式閃存、嵌入式DRAM的著墨愈多，內(nèi)存相關(guān)IP的合作伙伴，或是相關(guān)領(lǐng)域的業(yè)者主動(dòng)「找上門(mén)」的機(jī)會(huì)也將愈多。