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[導(dǎo)讀]【導(dǎo)讀】NAND閃存的未來在SSD 作為贊助商參加Windows Hardware Engineering Conference(WinHEC)的美國美光科技公司(Micron Technology, Inc.)舉辦了名為“Flash Memory Technology Direction”的技術(shù)研討

【導(dǎo)讀】NAND閃存的未來在SSD       作為贊助商參加Windows Hardware Engineering Conference(WinHEC)的美國美光科技公司(Micron Technology, Inc.)舉辦了名為“Flash Memory Technology Direction”的技術(shù)研討會(Technical Session)。該公司 Memory Products Group 的首席應(yīng)用工程師(Director of Application Engineering)Jim Cooke登臺做了演講。
      Jim Cooke首先就市場走向提到了大容量存儲器領(lǐng)域閃存的優(yōu)勢,他介紹說,閃存在“性能、可靠性、耐久性、耗電、尺寸、重量、耐沖擊性、溫度方面均超過硬盤”,不如硬盤的方面是容量和單位容量所對應(yīng)的成本。目前閃存的使用方法有緩存(Cache)中使用了閃存的硬盤“混合(Hybrid)型”和全部由閃存構(gòu)成的大容量光盤(Disk)“SSD(固態(tài)存儲,Solid State Disk)”兩種,預(yù)計(jì)混合型將首先開始普及,但2010年時SSD將趕上并超過混合型。Jim Cooke表示,根據(jù)美國IDC公司的預(yù)測,SSD單位容量所對應(yīng)的成本“2010年時將壓縮至0.85~1.8英寸硬盤的1倍、2.5英寸硬盤的5.6倍。目前分別為5.3倍、8.8倍,到那時,二者的差將比現(xiàn)在小得多”。
      技術(shù)方面,Jim Cooke表示“2片型將是今后的趨勢”。將分為偶數(shù)片與奇數(shù)片兩個塊、使它可同時讀取兩個片以提高訪問速度。目前每單元2值的SLC(單層單元)技術(shù)、每單元4值的MLC(多層單元)技術(shù)均被采用使用。Jim Cooke表示,對MLC而言,從耐久性的觀點(diǎn)出發(fā)依次改變寫入單元的“損耗平衡(Wear Leveling)”是必需的,而一開始就從芯片方面支持它的Managed NAND是很重要的。具體而言,“eMMC(嵌入式多媒體卡,embedded Multimedia Card)”等實(shí)際上確定了接口等。
      Jim Cooke最后總結(jié)表示,NAND型閃存的主要市場為手機(jī)等移動設(shè)備以及SSD。事實(shí)上,在WinHEC的展出會場上,除美光公司外,美國SanDisk Corp.與韓國三星電子(Samsung Electronics Co., Ltd.)等也展出了SSD,讓人不禁感受到閃存廠商的雄心。
      另一方面,美國微軟公司(Microsoft Corp.)也舉辦了題為“Solid-State Drives:Next-Generation Storage”的技術(shù)研討會。微軟強(qiáng)調(diào),Windows一直在關(guān)注存儲器是否為SSD,與存儲器是硬盤的情況下,刪除數(shù)據(jù)時將出現(xiàn)一個刪除標(biāo)記相對,當(dāng)存儲器為SSD時,為了防止擦寫,將進(jìn)行真正刪掉數(shù)據(jù)等處理、執(zhí)行與SSD相應(yīng)的動作。另外作為將來硬盤與閃存的組合,提出了“復(fù)合SSD(Composite SSD)”的構(gòu)想。不是把閃存用作緩存,而是在擦寫頻繁的地方用硬盤、保存時間長的數(shù)據(jù)存儲在閃存里。比如,為了將閃存用于服務(wù)器等大規(guī)模存儲器,提出了復(fù)合SSD是有效的這一見解。
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