三星深圳召開FlashTopia大會：勾勒“閃存烏托邦”

【導讀】三星深圳召開FlashTopia大會：勾勒“閃存烏托邦”  
    Flashtopia by Samsung”大會在廣東深圳舉行。會上，三星半導體部門數(shù)位副總裁以及多名三星市場人士或工程師分別發(fā)表演講，向受邀的61家共計350余人次的客戶及代理商人士介紹了三星的產(chǎn)品方案及最新技術(shù)，并對未來幾年的閃存市場的發(fā)展做出了分析和預測。 

    這是三星首次舉辦以“Flashtopia”為主題的活動。據(jù)介紹，去年三星成功研制40nm工藝的32Gbit NAND Flash產(chǎn)品時，提出了“Flashtopia”的概念，取義為“Flash Utopia”，即“閃存烏托邦”，意為用最新閃存技術(shù)創(chuàng)造完美的數(shù)字消費生活。三星深圳分公司市場部人士透露，以“Flashtopia”為主題的會議將在未來的幾年連續(xù)舉辦，本次選擇深圳作為首屆會址，是因為華南地區(qū)聚集了許多三星的客戶，并擁有強大的制造實力。 

    “07年NAND閃存需求翻倍，供貨稍遜” 

    三星對NAND市場持有相當樂觀的態(tài)度，NAND產(chǎn)品部高級市場經(jīng)理J.J.KIM在演講時援引SEC Marketing的數(shù)據(jù)表示，2007年全球手機出貨量將超過10億臺，較06年增長10%，由于i-Phone將在今年5月實現(xiàn)量產(chǎn)，全球大手機廠商會對i-Phone全力阻擊，手機內(nèi)存容量將被提升至4GB以上，此舉將給NAND內(nèi)存市場帶來5%的增長。 

    另據(jù)預測，2007年，便攜式多媒體終端設(shè)備（包括手持導航設(shè)備）出貨量將達到4100萬部（2006年為2600萬部），其中近7成將采用NAND閃存作為存儲方式，這將加大NAND閃存的市場需求，預計2008年之前，NAND的需求將比2007年第一季度翻倍。 

    J.J.KIM同時表示，由于今年有些企業(yè)將部分精力轉(zhuǎn)移至DRAM，NAND晶圓生產(chǎn)能力的不足，以及基于多層單元（MLC）技術(shù)的NAND產(chǎn)品上市時間的一再延遲，將可能導致2007年下半年NAND閃存供貨無法滿足市場需求的現(xiàn)象出現(xiàn)。 

    “MLC NAND產(chǎn)品從16Gbit開始領(lǐng)先業(yè)界” 

    三星在會上還展出了移動處理器芯片的多種解決方案，以及基于NAND/Nor技術(shù)的產(chǎn)品，其中，曾在IIC China 2007展深圳站出現(xiàn)的“世界第一款”40nm工藝32Gbit NAND閃存和12英寸晶圓再次被展出。 

    對于在計算機消費產(chǎn)品上向來喜歡爭“World First”的三星而言，此次會議再次強調(diào)了該公司在內(nèi)存領(lǐng)域的地位。三星宣稱在基于單層單元（SLC）技術(shù)的NAND產(chǎn)品上，領(lǐng)先對手一年，而對于被認為是三星軟肋的基于多層單元（MLC）技術(shù)的NAND產(chǎn)品，三星亦表示自2007年第二季度以來，三星已憑借其51nm工藝16Gbit MLC技術(shù)領(lǐng)先所有競爭對手。 

    三星NAND應用工程師S.C.Kwon介紹，三星目前已經(jīng)做好了量產(chǎn)50nm 工藝NAND閃存的準備，40nm工藝的產(chǎn)品有望在2008年第三季度實現(xiàn)量產(chǎn)。英特爾日前宣布將于2007年下半年實現(xiàn)50nm工藝 NAND閃存的量產(chǎn)，并將于2008年達到35nm工藝，這對于在NAND閃存領(lǐng)域領(lǐng)先的三星而言是否為一個威脅（三星預計2008年實現(xiàn)40nm工藝），該名工程師表示“我是工程師，不是市場人員，不便評價”。