創(chuàng)意電子與Credo共同合作，投入 16 納米 FinFET+ 芯片開發(fā)

彈性客制化 IC 領(lǐng)導(dǎo)廠商 (Flexible ASIC LeaderTM) 創(chuàng)意電子 (GUC) 與全球高速串聯(lián)解串器 (High-speed SerDes) 創(chuàng)新技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)者 Credo，于今日宣布，雙方運(yùn)用臺(tái)積電 (TSMC) 的 16納米 FinFET+ 制程技術(shù)，共同合作開發(fā)高性能網(wǎng)絡(luò)芯片設(shè)計(jì)解決方案。兩家公司攜手合作，結(jié)合創(chuàng)意電子的后端設(shè)計(jì)服務(wù)專業(yè)以及Credo的 28G 與 56G SerDes IP，共同開發(fā)以臺(tái)積電的 16納米 FF+ 制程技術(shù)為基礎(chǔ)的解決方案。

創(chuàng)意電子總裁賴俊豪表示：「我們與Credo攜手合作，在高階制程技術(shù)上共同解決高性能裝置設(shè)計(jì)相關(guān)的復(fù)雜問題，是一套相當(dāng)獨(dú)特的方法，能為未來半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)樹立新標(biāo)準(zhǔn)、新典范?！?/p>

雙方公司在高階制程技術(shù)上攜手合作，期望可大幅提升芯片整合性、縮短設(shè)計(jì)周期，并針對廣泛運(yùn)用于交換器、路由器及其他網(wǎng)絡(luò)硬件上的網(wǎng)絡(luò)芯片，降低其功耗。

Credo總裁暨執(zhí)行長 Bill Brennan 表示：「我們與創(chuàng)意電子密切合作，以確保本公司的 28G 及 56G SerDes IP 能與創(chuàng)意電子的 16奈米 FF+ SOC平臺(tái)整合，并且在整合過程中平順流暢。我們相信藉由彼此攜手合作將可達(dá)成一次完成芯片設(shè)計(jì)的目標(biāo)以滿足客戶需求，并促使 100G 與 400G 的企業(yè)網(wǎng)絡(luò)和數(shù)據(jù)中心加快采用 16FF+ ASIC?！?/p>

傳統(tǒng)上，由于先進(jìn)制程技術(shù)缺乏可用的低功率及高性能 SerDes，網(wǎng)絡(luò)裝置均依賴增加寬通道數(shù)來實(shí)現(xiàn)所需的帶寬與系統(tǒng)輸出量。Credo是率先供應(yīng) 56G SerDes IP 解決方案的公司，比10G SerDes IP快五倍，所提供的技術(shù)能大幅減少通道數(shù)量、芯片體積并降低功耗，解決網(wǎng)絡(luò)裝置盲目依賴增加寬通道，用來實(shí)現(xiàn)所需與系統(tǒng)輸出量問題。