“世界最薄電子產(chǎn)品”的有力競(jìng)爭(zhēng)者來了,因?yàn)樗谷恢挥?個(gè)原子厚。根據(jù)出版的《自然》雜志上的一篇論文所述,研究人員們已經(jīng)發(fā)現(xiàn)了一種制作超薄晶體管的新工藝。該裝置使用了被稱為“過渡金屬硫?qū)倩衔?rdquo;的新材料(全稱為transition metal dichalcogenide),其特點(diǎn)是相當(dāng)之薄。通常情況下,其薄膜只有幾個(gè)原子那么厚,但性能卻足以用于制造太陽能電池、光感器、或者半導(dǎo)體。
對(duì)于物理學(xué)家和制造商們來說,其前景相當(dāng)令人期待。但要讓這種材料能夠一致性地工作,仍然極度困難。好消息是,今天面世的這篇論文,已經(jīng)給出了迄今為止最佳的解決方案。
首席作者之一的Saien Xie表示:“我們的工作,已經(jīng)將TMDs推動(dòng)到了與技術(shù)相關(guān)的規(guī)模,并且基本上掃清了商業(yè)化的障礙”。 現(xiàn)代芯片制造已經(jīng)在硅材料性能和密度上遇到了瓶頸,以至于很多人擔(dān)心摩爾定律會(huì)就此被終結(jié)。如果電子電路要做到更小更快,那就必須找到超薄的替代材料。
晶圓級(jí)單層薄膜TMD
說到這種超薄的過渡金屬硫?qū)倩衔?TMDs),不少人肯定會(huì)聯(lián)想到另一種經(jīng)常見諸報(bào)端的材料——沒錯(cuò),它就是石墨烯(Graphene)。
盡管目前討論TMDs和石墨烯誰更適用還為時(shí)尚早,但這至少為未來的發(fā)展指明了一個(gè)方向。
連續(xù)單層二硫化鉬薄膜的金屬化學(xué)氣相沉積制備法
TMDs的制備用到了兩種商業(yè)化的前體化合物——即乙硫醚(diethylsulfide)和一種六羰基金屬化合物(metal hexacarbonyl compound)——混合硅晶片后,在氫氣中用550℃的溫度烘烤26個(gè)小時(shí)。
這樣,我們就制作出了擁有良好的電子遷移率的200個(gè)超薄晶體管,但其中只有2個(gè)是不合格的。換言之,這項(xiàng)研究的制備成功率竟然達(dá)到了99%!
當(dāng)然,目前研究人員們最關(guān)心的,還是其能否在大規(guī)模制造過程中,生產(chǎn)出“始終如一”的超薄晶體管,這些問題仍有待于在未來進(jìn)一步細(xì)化。