晶圓代工供過(guò)于求 三大半導(dǎo)體廠2016年競(jìng)爭(zhēng)更激烈

由于終端市場(chǎng)需求趨緩，在供給提升速度大于需求成長(zhǎng)速度下，TrendForce 旗下拓墣產(chǎn)業(yè)研究所預(yù)估 2016 年全球晶圓代工產(chǎn)值年成長(zhǎng)僅 2.1%，半導(dǎo)體大廠的競(jìng)爭(zhēng)將更加激烈。2016 年三大半導(dǎo)體制造大廠資本支出金額預(yù)期較 2015 年成長(zhǎng) 5.4%，其中，英特爾調(diào)升 30% 達(dá) 95 億美元、臺(tái)積電調(diào)升 17% 達(dá) 95 億美元，三星則逆勢(shì)調(diào)降 15%，來(lái)到 115 億美元。拓墣表示，今年半導(dǎo)體大廠的資本支出預(yù)計(jì)至 2017 年才有機(jī)會(huì)對(duì)營(yíng)收產(chǎn)生貢獻(xiàn)。

臺(tái)積電：專(zhuān)注制程開(kāi)發(fā)、深耕 InFO 技術(shù)、中國(guó)南京廠建置為 2016 年三大重點(diǎn)

拓墣表示，半導(dǎo)體三巨頭中臺(tái)積電是唯一的純晶圓代工廠，與客戶(hù)無(wú)直接競(jìng)爭(zhēng)關(guān)系，可專(zhuān)注于制程技術(shù)的開(kāi)發(fā)。2016 年臺(tái)積電資本支出約 70% 用于先進(jìn)制程的開(kāi)發(fā)，其中大部分用在 10 納米制程技術(shù)，可見(jiàn)臺(tái)積電對(duì) 10 納米制程研發(fā)的重視。資本支出的 10% 則持續(xù)投入 InFO 技術(shù)的開(kāi)發(fā)，InFO 技術(shù)有散熱佳、厚度和面積縮小、成品穩(wěn)定度高的優(yōu)勢(shì)，已有少數(shù)大客戶(hù)開(kāi)始投單，預(yù)期未來(lái)將有更多客戶(hù)陸續(xù)投入。

為了就近服務(wù)廣大的中國(guó)市場(chǎng)，臺(tái)積電規(guī)劃 30 億美元用于中國(guó)南京 12 寸廠的建置，預(yù)期在 2018 年投產(chǎn)。今年南京廠計(jì)劃先投入 5 億美元，2017 與 2018 年將增加投資力道。

三星：智能手機(jī)業(yè)務(wù)前景不明，2016 年半導(dǎo)體事業(yè)將是重心

智能手機(jī)是三星最重要的業(yè)務(wù)，在終端市場(chǎng)需求趨緩、手機(jī)差異化縮小的情況下，三星受到蘋(píng)果與中國(guó)品牌的激烈競(jìng)爭(zhēng)。根據(jù)三星財(cái)報(bào)顯示，2015 年?duì)I收年衰退 2.6%，凈利下滑 20.6%。相較智能手機(jī)，2015 年三星的半導(dǎo)體營(yíng)收年成長(zhǎng) 20%、內(nèi)存年成長(zhǎng) 17%，大規(guī)模集成電路(LSI)業(yè)務(wù)年成長(zhǎng)約 27.7%，表現(xiàn)十分亮眼。

拓墣指出，2016 年三星的智能手機(jī)業(yè)務(wù)拓展仍不樂(lè)觀，除加速開(kāi)發(fā)創(chuàng)新業(yè)務(wù)，將更加重視晶圓代工業(yè)務(wù)，采取積極搶單的策略。2016 年三星 115 億美元的資本支出中，大規(guī)模集成電路業(yè)務(wù)會(huì)維持與 2015 年 35 億美元的相同水準(zhǔn)。

英特爾：維持制程領(lǐng)先地位，擴(kuò)展內(nèi)存相關(guān)業(yè)務(wù)

英特爾雖然在 14 / 16 納米制程技術(shù)開(kāi)發(fā)上領(lǐng)先，但臺(tái)積電與三星若在 10 納米的技術(shù)上趕超，將使英特爾在 CPU 產(chǎn)品上面臨強(qiáng)大的競(jìng)爭(zhēng)壓力，嚴(yán)重挑戰(zhàn)英特爾自 1995 年來(lái)的領(lǐng)先地位。2016 年英特爾將持續(xù)擴(kuò)大資本支出以維持制程領(lǐng)先，相關(guān)資本支出約達(dá) 80 億美元。

在數(shù)據(jù)中心的競(jìng)爭(zhēng)中，2015 年英特爾與美光聯(lián)合發(fā)布包含 3D-NAND 與 Xpoint 等用于內(nèi)存的技術(shù)，此外更宣布投資 25 億美元把大連廠打造成內(nèi)存制造廠。2016 年英特爾的資本支出中約有 15 億美元將投資在內(nèi)存相關(guān)業(yè)務(wù)。