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[導(dǎo)讀]今年以來,由于下游需求旺盛,半導(dǎo)體設(shè)備訂單密集增加。當前半導(dǎo)體設(shè)備和材料的國產(chǎn)化程度不斷提升,龍頭企業(yè)受益半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展大機遇,值得投資者關(guān)注。

2015年,前五大供應(yīng)商占市場份額的76.8%,前十大供應(yīng)商占據(jù)了93.6%的市場份額,市場集中度高。值得注意的是,十大廠商中多數(shù)為美國和日本企業(yè),國內(nèi)廠商在這塊差距仍然較大。從半導(dǎo)體主要制造設(shè)備看來,光刻機、刻蝕機、化學(xué)氣相沉積(CVD)市場都為國外廠商占據(jù)。同時,也說明中國半導(dǎo)體設(shè)備市場存在巨大替代空間,且由于需求驅(qū)動,主要設(shè)備后續(xù)需求有望持續(xù),維持良好增長勢頭。

國內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備替代空間廣闊

當前大陸半導(dǎo)體設(shè)備和材料的需求大幅增長,大陸半導(dǎo)體進入生產(chǎn)線密集建設(shè)期,目前在建或計劃建設(shè)的半導(dǎo)體晶圓投資項目總額已達800億美元,將需求約600億美元的設(shè)備,而材料的需求也隨之增加。預(yù)計2020年,大陸半導(dǎo)體設(shè)備和材料年需求規(guī)模將超過200億美元。

在需求上行的推動下,預(yù)計晶圓設(shè)備市場有望開始恢復(fù)成長趨勢,設(shè)備產(chǎn)能利用率也有望逐步回升,前期的高庫存也將有望顯著降低。此外,在國家半導(dǎo)體扶持政策推動下,國內(nèi)有望實現(xiàn)爆發(fā)式增長。近幾年國內(nèi)的半導(dǎo)體設(shè)備和材料產(chǎn)業(yè)已取得長足進步,逐步實現(xiàn)從低端向高端替代。刻蝕機、PVD、先進封裝光刻機等設(shè)備,靶材、電鍍液等材料,不僅滿足國內(nèi)市場的需求,還獲得國際一流客戶的認可,遠銷海外市場。半導(dǎo)體設(shè)備和材料的國產(chǎn)化程度不斷提升,龍頭企業(yè)受益半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展大機遇。

繼三星發(fā)布了UFS 2.0高速儲存卡之后,美光日前發(fā)布了全球首個手機3D閃存。閃存科技快速發(fā)展折射出當前對于高科技芯片的廣闊需求。今年以來,由于下游需求旺盛,半導(dǎo)體設(shè)備訂單密集增加。當前半導(dǎo)體設(shè)備和材料的國產(chǎn)化程度不斷提升,龍頭企業(yè)受益半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展大機遇,值得投資者關(guān)注。

美光發(fā)布手機3D閃存

日前,在加州圣克拉拉舉行的閃存峰會(Flash Memory Summit)上,美光公布了首款3D NAND閃存芯片。這種閃存芯片在不改變尺寸的情況下能提供更多的儲存空間。據(jù)報道,這款3D閃存芯片與傳統(tǒng)的2D NAND水平排布儲存單元不同,3D NAND使用垂直的方式排布儲存單元,這種排布方式不但可以增加閃存的容量,又能讓芯片與處理器通訊變快。單個容量為32GB,采用全新UFS 2.1標準,讀取速度達到1.5GB/s,寫入接近500MB/s,是目前UFS2.0的2倍。未來中高端手機上將會采用這種3D閃存芯片,對手機市場來說又是一波新的換機潮,畢竟誰都想要速度更快,儲存容量更大的手機。

其實閃存科技快速發(fā)展折射出當前對于高科技芯片的廣闊需求,這也是今年半導(dǎo)體市場的縮影。今年以來,由于下游需求旺盛,半導(dǎo)體設(shè)備訂單密集增加,預(yù)計全年將取得出色成績。另外,半導(dǎo)體設(shè)備主要集中在制造和封測端,晶圓制造設(shè)備依舊是半導(dǎo)體設(shè)備中占絕對地位的設(shè)備,在2015年晶圓制造設(shè)備銷售額達到約286.7億美元,占比達到78.74%。中國半導(dǎo)體制造設(shè)備增長迅速,目前已經(jīng)達到全球增速最快的市場,且下游需求良好,前景可期。

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