安森美半導體的超場截止型1200 V IGBT 在中國獲2016年度“Top 10電源產(chǎn)品獎”

推動高能效創(chuàng)新的安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ON)，今日宣布公司新的絕緣柵雙極晶體管(IGBT)系列，NGTB40N120FL3WG、 NGTB25N120FL3WG 和NGTB40N120L3WG獲2016年度“Top 10電源產(chǎn)品獎”，這是由《今日電子》與21IC中國電子網(wǎng)聯(lián)合舉辦，于電子業(yè)備受認同的確定高品質(zhì)產(chǎn)品的一個基準。

這些1200伏特(V) IGBT利用安森美半導體專有的超場截止溝槽技術(shù)并符合現(xiàn)代開關(guān)應(yīng)用的嚴格要求，如不間斷電源、太陽能逆變器和焊接。它們能實現(xiàn)領(lǐng)先行業(yè)的總開關(guān)損耗(Ets)特點，顯著提升的性能部分歸因于極寬的高度觸發(fā)的場截止層及優(yōu)化的共同封裝二極管。

安森美半導體功率分立器件分部副總裁兼總經(jīng)理Asif Jakwani說：“我們很高興公司新的超場截止1200 V IGBT獲得Top 10電源產(chǎn)品獎，認可了我們?yōu)榇蠊β书_關(guān)系統(tǒng)在電源能效設(shè)立的新基準。安森美半導體已投入可觀資金，利用我們專有的超場截止溝槽技術(shù)設(shè)計IGBT器件，完美地平衡VCEsat和Ets，降低開關(guān)損耗，增強電源能效，提供強固工作和高性價比。”

每年的Top 10電源產(chǎn)品獎項需通過專家評委會嚴格的評估和推薦程序鑒別一系列電源產(chǎn)品。評審提名產(chǎn)品的3個主要標準為：創(chuàng)新設(shè)計、性價比及技術(shù)突破。