高通、三星10納米首役告捷，決勝關(guān)鍵在良率及產(chǎn)能

 高通發(fā)布首款由三星電子10納米制程打造的旗艦級處理器芯片驍龍(Snapdragon)835，具備Quick Charge 4.0快充技術(shù)、虛擬實境(VR)、機(jī)器學(xué)習(xí)等亮點，已成功吸引包括三星、樂金電子、小米、Oppo、Vivo等智能手機(jī)品牌廠下單排隊，未來三星10納米制程良率和產(chǎn)能配置，將攸關(guān)高通Snapdragon 835出貨及版圖擴(kuò)張。

近期半導(dǎo)體業(yè)界紛高度關(guān)注高通Snapdragon 835發(fā)展動向，以及三星10納米制程競爭力，面對聯(lián)發(fā)科、臺積電攜手首顆10納米產(chǎn)品Helio X30大舉進(jìn)逼，高通此役不僅攸關(guān)2017年手機(jī)芯片大廠競局變化，更是三星與臺積電在10納米先進(jìn)制程的頂尖對決。

高通先前推出的旗艦級芯片Snapdragon 820/821，系采用三星14納米FinFET制程及改良版14納米LPP(Low Power Plus)制程生產(chǎn)，并導(dǎo)入超過200款手機(jī)和平板電腦等終端移動裝置，高通新問世的Snapdragon 835采用三星10納米制程，已進(jìn)入量產(chǎn)階段，2017年上半搭載Snapdragon 835的各家手機(jī)將陸續(xù)量產(chǎn)出貨。

高通Snapdragon 835芯片應(yīng)用領(lǐng)域涵蓋智能手機(jī)、VR/AR頭戴式屏幕、IP網(wǎng)路攝影機(jī)、平板電腦、移動式個人電腦等終端裝置，目前已傳出多家手機(jī)大廠將采用高通Snapdragon 835芯片，包括三星、小米、樂金、Oppo、Vivo等。

半導(dǎo)體業(yè)者認(rèn)為，10納米制程對于半導(dǎo)體大廠而言是一道極具挑戰(zhàn)的關(guān)卡，高通Snapdragon 835芯片后續(xù)出貨及決勝關(guān)鍵，將是三星10納米制程良率是否能改善，以及有無充足的10納米制程產(chǎn)能可供應(yīng)手機(jī)大客戶需求。

高通產(chǎn)品管理資深副總裁Keith Kressin在CES上揭露Snapdragon 835細(xì)節(jié)，其采用8核心搭載Kryo 280 CPU，包含4個時脈可達(dá)2.45GHz的性能核心，以及4個時脈可達(dá)1.9GHz的效能核心，并加入支持機(jī)器學(xué)習(xí)功能，透過升級至Snapdragon類神經(jīng)網(wǎng)路處理引擎軟件框架，可支持如Google的人工智能(AI)技術(shù)TensorFlow，讓芯片可以自我學(xué)習(xí)各種功能，了解使用者習(xí)慣，或是強(qiáng)化AR/VR使用體驗等。

Snapdragon 835亦支持Google Daydream移動VR平臺，強(qiáng)化視覺與音效、直覺互動等功能，包括高達(dá)25%的3D繪圖著色效能，以及透過Adreno 540視覺處理子系統(tǒng)支持高達(dá)60倍的彩度提升，另支持4K HDR10影片格式、10位元超寬色域顯示、物體與場景式3D音效，以及6DoF技術(shù)為基礎(chǔ)的AR/VR動態(tài)追蹤。

另外，高通Snapdragon 835亮點之一是Quick Charge 4.0快充技術(shù)，相較于Quick Charge 3.0充電速度提高20%，充電5分鐘約可達(dá)5小時的電池容量，充電15分鐘可達(dá)到裝置電池容量50%，Snapdragon 835封裝尺寸縮小35%，功耗降低25%，擁有更輕薄設(shè)計及更長電池續(xù)航力，且新增高通Haven安全平臺，針對生物辨識與裝置驗證提供更嚴(yán)密的防護(hù)。

高通上一代Snapdragon 820/821芯片問世至今，陸續(xù)拿下包括華碩ZenFone 3 Deluxe、三星S7/S7 Edge、小米5、LG G5、HTC 10、Le Max 2、Vivo Xplay5、Sony Xperia X Performance、OnePlus 3等客戶產(chǎn)品訂單。