臺(tái)積電打算興建晶圓廠 目標(biāo)2022年率先導(dǎo)入3nm

 晶圓代工大廠臺(tái)積電(TSMC)表示，該公司打算興建下一座晶圓廠，目標(biāo)是在2022年領(lǐng)先市場(chǎng)導(dǎo)入5納米到3納米制程節(jié)點(diǎn)。

隨著IC產(chǎn)業(yè)掀起整并風(fēng)潮，臺(tái)積電、三星(Samsung)與英特爾(Intel)等半導(dǎo)體大廠近年來(lái)在制程技術(shù)上的競(jìng)爭(zhēng)也日益激烈，以爭(zhēng)取來(lái)自無(wú)晶圓廠客戶如蘋果(Apple)、高通(Qualcomm)等的高利潤(rùn)訂單;臺(tái)積電的目標(biāo)是在南科高雄園區(qū)興建新廠，以尋求領(lǐng)先競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手至少五年。

臺(tái)積電發(fā)言人孫又文(Elizabeth Sun)向臺(tái)灣本地媒體證實(shí)，科技部長(zhǎng)楊弘敦在數(shù)月前曾經(jīng)與臺(tái)積電會(huì)談，因此該公司趁機(jī)提出了未來(lái)發(fā)展計(jì)劃：「我們希望他知道我們需要一片土地，因?yàn)榕_(tái)灣其他科學(xué)園區(qū)都已經(jīng)沒(méi)有空間。」

孫又文表示，臺(tái)積電的新廠需要至少50~80公頃的土地，投資額約5，000億新臺(tái)幣(約157億美元);2022年是一個(gè)預(yù)估的時(shí)間表，還需考慮晶圓廠興建過(guò)程中無(wú)法預(yù)期的延遲因素，最近臺(tái)積電有部分計(jì)劃就因?yàn)檎匍_(kāi)環(huán)境評(píng)估公聽(tīng)會(huì)等因素而延遲了一年之久。

此外臺(tái)積電也敦促臺(tái)灣政府能及時(shí)給予該公司的新廠在土地、電力供應(yīng)等基礎(chǔ)建設(shè)方面的支持;孫又文指出，過(guò)去臺(tái)積電在臺(tái)灣的其他廠區(qū)就曾面臨電力與水源短缺的問(wèn)題：「我們將希望政府提供的基礎(chǔ)建設(shè)需求提出，所有的東西都需要長(zhǎng)期規(guī)劃，而政府全權(quán)管理科學(xué)園區(qū)。」

而臺(tái)積電也表示該公司尚未決定是否將在5納米與3納米節(jié)點(diǎn)采用極紫外光(EUV)微影技術(shù);「我們目前的計(jì)劃是在5納米節(jié)點(diǎn)廣泛采用EUV，」不過(guò)孫又文強(qiáng)調(diào)：「這是建立在屆時(shí)EUV技術(shù)已經(jīng)準(zhǔn)備就緒的前提下?！?/p>

臺(tái)積電預(yù)計(jì)在2017年量產(chǎn)7納米節(jié)點(diǎn)，5納米節(jié)點(diǎn)預(yù)定量產(chǎn)時(shí)程則為2019年，以支持智能型手機(jī)與配備包括虛擬現(xiàn)實(shí)(VR)、擴(kuò)增實(shí)境(AR)等功能的高階行動(dòng)裝置應(yīng)用。

目前全球各家半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)廠商的目標(biāo)是導(dǎo)入10納米制程;臺(tái)積電在今年第三季已經(jīng)將10納米制程由開(kāi)發(fā)階段轉(zhuǎn)為準(zhǔn)備量產(chǎn)，并已經(jīng)有5款行動(dòng)產(chǎn)品應(yīng)用的芯片投片，估計(jì)首款10納米芯片將于明年第一季量產(chǎn)。臺(tái)積電預(yù)期，高階智能型手機(jī)芯片將在2017年由16納米邁進(jìn)10納米制程節(jié)點(diǎn)。

三星的目標(biāo)是在今年底之前推出以10納米FinFET制程生產(chǎn)的SoC，一舉領(lǐng)先對(duì)手英特爾與臺(tái)積電;至于英特爾則在今年稍早表示，該公司的10納米制程將超越其他晶圓代工業(yè)者，應(yīng)用于為L(zhǎng)G等廠商制造ARM核心手機(jī)芯片。

編譯：Judith Cheng

(參考原文： TSMC Plans New Fab for 3nm，by Alan Patterson)