Intel宣布投資70億美元升級Fab 42工廠，3-4年后準備生產7nm工藝，拉開了下下代半導體工藝競爭的帷幕。三星、TSMC日前也在ISSCC會議上公布了自家的7nm工藝進展，TSMC展示了7nm HKMG FinFET工藝的256Mb SRAM芯片，核心面只有16nm工藝的34%，而且良率很好，而三星展示的7nm SRAM芯片只有8Mb，更多的是研究性質，他們要等EUV光刻工藝成熟。
在ISSCC國際固態(tài)電路會議上，各大半導體公司都公布了自家半導體技術的進展，AMD昨天提到的Ryzen處理器的核心面積就是在ISSCC會議上公布的，EEtimes現在又報道了TSMC和三星的7nm工藝進展情況。
TSMC的7nm 256MB SRAM芯片
TSMC雖然在16nm FinFET上吃過虧，不過他們在10nm、7nm工藝上野心勃勃，今年上半年將使用10nm工藝為蘋果量產A11處理器，這次公布的7nm工藝進展看起來也很順利。TSMC公開了7nm工藝制造的256Mb SRAM芯片，位單元面積只有0.027um2，7層金屬層工藝，整個核心面積也只有42mm2。根據TSMC存儲業(yè)務部門的高管Jonathan Chang所說，TSMC的7nm工藝核心面積只有16nm工藝的0.34倍。
只有良率問題，TSMC在論文中表示7nm工藝良率很“健康”(healthy)，聽上去很有信心。
三星展示的8Mb SRAM芯片
與此同時，三星也公開了7nm工藝的部分信息，不過他們介紹的SRAM芯片容量只有8Mb，更像是研究而非開發(fā)性質。三星同時針對現有設備及EUV工藝開發(fā)了兩種修復工藝，顯然EUV工藝的會更好，不過修復處理并不是半導體制造的必須過程，三星只是驗證EUV工藝可以做到什么。
根據三星去年公布的消息，他們在7nm工藝上是想等到EUV工藝成熟，業(yè)界分析認為EUV工藝在2020年才會達到量產水平。
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