廣東省首個第三代半導體制造業(yè)創(chuàng)新中心成立

 半導體產業(yè)是現(xiàn)代工業(yè)的核心和基礎，一直以來，我國電子信息產品制造業(yè)規(guī)模大，但基礎弱，“缺芯少核”現(xiàn)象比較突出，半導體材料與核心器件長期受制于人。

為解決這一高質量發(fā)展瓶頸，近日，由東莞多家行業(yè)企業(yè)、新型研發(fā)機構及國內行業(yè)領軍單位組建的廣東省“寬禁帶半導體材料、功率器件及應用技術創(chuàng)新中心”正式在松山湖成立。這也是廣東省首個第三代半導體制造業(yè)創(chuàng)新中心。

多家企業(yè)單位聯(lián)手組建

廣東省“寬禁帶半導體材料、功率器件及應用技術創(chuàng)新中心”由易事特集團股份有限公司牽頭聯(lián)合東莞市天域半導體科技有限公司、東莞市中鎵半導體科技有限公司、東莞南方半導體科技有限公司、工業(yè)和信息化部電子第五研究所、華南理工大學，北京大學(東莞)光電研究院、廣東省半導體產業(yè)技術研究院組建。

創(chuàng)新中心成立后，將依托國家第三代半導體南方基地建設承擔單位——東莞南方半導體科技公司為平臺。據了解，該平臺由廣東省科技廳、東莞市政府支持及引導、易事特、中鎵半導體、天域半導體、松山湖控股集團、廣東風華高科股份有限公司6家行業(yè)內知名企業(yè)共同出資發(fā)起設立。

根據中國半導體行業(yè)協(xié)會統(tǒng)計，2016年，中國功率半導體市場規(guī)模達1496.1億元，占全球的55%。但長期以來，由于創(chuàng)新鏈的各個環(huán)節(jié)銜接不暢，創(chuàng)新主體分散，形成行業(yè)“技術孤島”、“資源分散”、“上下游脫節(jié)”、原始創(chuàng)新能力不足，嚴重依賴國際技術路徑和產品的局面。

從全球范圍來看，提升開關頻率、降低開關損耗、提高功率密度、減小體積重量已成為現(xiàn)代電子電子技術發(fā)展方向，寬禁帶半導體器件將掀起高頻電能變換領域新一輪產業(yè)技術革命。

目前，以氮化鎵、碳化硅為代表的寬禁帶半導體材料出現(xiàn)，推動半導體領域新技術競爭加劇，歐美日等國家正全力搶占從材料、器件、應用技術的戰(zhàn)略制高點，以期掌握新一代寬禁帶(也稱寬禁帶)半導體領域話語權。

應用牽引引領產業(yè)集聚發(fā)展

隨著我國對于寬禁帶半導體產業(yè)布局的逐漸形成，2016年7月國務院發(fā)布的《“十三五”國家科技創(chuàng)新規(guī)劃》中，明確將寬禁帶半導體產業(yè)和技術的發(fā)展確立為國家重大戰(zhàn)略任務和“十三五”發(fā)展重點，將在“中國制造2025”、海洋強國、航天強國、軍民融合發(fā)展、“一帶一路”建設等國家戰(zhàn)略實施中發(fā)揮重要作用，并在推動產業(yè)邁向中高端、增添發(fā)展新動能、拓展發(fā)展新空間、提高發(fā)展質量和效益中起到核心引領作用。

牽頭組建該中心的易事特集團董事長何思模透露，創(chuàng)新中心將突破傳統(tǒng)企業(yè)和研究機構相對獨立的框架，將創(chuàng)新鏈、產業(yè)鏈、資金鏈進行有機整合，創(chuàng)新政產學研用聯(lián)合機制，系統(tǒng)理論與技術創(chuàng)新，產業(yè)集群發(fā)展，打造電力電子技術高地、培養(yǎng)研發(fā)及產業(yè)技術人才，傳播新技術，將創(chuàng)新中心建設成為廣東省高水平的寬禁帶半導體器件應用技術創(chuàng)新研發(fā)平臺，進而發(fā)展成為國際一流電力電子技術研究開發(fā)中心。

創(chuàng)新中心還將以應用為牽引，以產業(yè)化需求為導向，抓住產業(yè)技術核心環(huán)節(jié)、推動產業(yè)上下游產業(yè)(晶元、外延生長、芯片設計及加工、器件與模塊封裝、測試驗證、高效電能管理系統(tǒng)集成)、人才、資金等要素集聚，吸收與孵化一批產業(yè)鏈上下游高科技企業(yè)的同時，循序協(xié)同發(fā)展壯大，引領廣東省寬禁帶半導體產業(yè)集群發(fā)展，力爭形成萬億級產業(yè)規(guī)模。