院士郝躍：我國半導(dǎo)體發(fā)展缺乏“從0到1”的原始創(chuàng)新

2018年11月7-8日，第三屆半導(dǎo)體材料器件表征及可靠性研究交流會在上海召開，本屆會議旨在加強(qiáng)全國各相關(guān)領(lǐng)域研究隊(duì)伍的交流、提供學(xué)術(shù)界與產(chǎn)業(yè)界相互分享最新研究成果的機(jī)會，推動我國先進(jìn)電子材料與器件的發(fā)展，促進(jìn)杰出青年科學(xué)家的迅速成長和協(xié)同創(chuàng)新。

會議同時(shí)邀請到了中國科學(xué)院院士、西安電子科技大學(xué)副校長郝躍，國家自然基金委、復(fù)旦大學(xué)、中國科學(xué)院上海技術(shù)物理研究所、中國科學(xué)院上海微系統(tǒng)所、南京大學(xué)、清華大學(xué)、西安電子科技大學(xué)、中科院蘇州納米所、南京工業(yè)大學(xué)、北京大學(xué)、湖南大學(xué)、山西師范大學(xué)等眾多專家學(xué)者。各位專家聚焦于當(dāng)前半導(dǎo)體材料和器件的研究熱點(diǎn)，分享各自最新的研究成果。

會上，國家自然基金委員會信息學(xué)部主任、中國科學(xué)院院士郝躍做了題為“從第三代半導(dǎo)體進(jìn)展談我國核心電子器件發(fā)展”的大會報(bào)告。郝院士首先回顧了從“十一五”到“十三五”以來，國家在核心電子器件、高端通用芯片和基礎(chǔ)軟件產(chǎn)品(簡稱“核高基”)領(lǐng)域的戰(zhàn)略部署，以及我國半導(dǎo)體與集成電路產(chǎn)業(yè)的發(fā)展現(xiàn)狀。

郝院士指出，經(jīng)過多年的發(fā)展，我國半導(dǎo)體與集成電路產(chǎn)業(yè)取得了長足的進(jìn)步，并一躍成為全世界最大的集成電路消費(fèi)市場，在個(gè)別技術(shù)領(lǐng)域甚至具備了與國際同行并行的趨勢。但總體而言，我國半導(dǎo)體與集成電路產(chǎn)業(yè)跟美、日、歐相比仍存在較大的差距，“中興事件”給了我們一次深刻的警示，表明我國高端通用芯片仍然受制于人，在關(guān)乎國防安全和國民經(jīng)濟(jì)的關(guān)鍵技術(shù)領(lǐng)域創(chuàng)新能力不足，尤其是缺乏“從0到1”的原始創(chuàng)新，企業(yè)更多的將資源聚焦在應(yīng)用技術(shù)層面和產(chǎn)業(yè)化方面，形象的來說就是“從1到10”或“從1到n”的工作，“大而不強(qiáng)”，而創(chuàng)新驅(qū)動顯得尤為重要。

據(jù)悉，本次大會由泰克公司攜手復(fù)旦大學(xué)，聯(lián)合南京大學(xué)、中科院上海技術(shù)物理研究所、中國科學(xué)院納米中心共同舉辦，作為全球領(lǐng)先的測試、測量和監(jiān)測應(yīng)用領(lǐng)域的電子內(nèi)容監(jiān)控解決方案提供商，泰克公司展示了其半導(dǎo)體材料器件表征及可靠性實(shí)驗(yàn)平臺及測試驗(yàn)證方案的能力，介紹了其4200A在助力高校半導(dǎo)體材料及器件研究的發(fā)展以及新技術(shù)應(yīng)用的案例，例如，幫助美國佐治亞理工大學(xué)Graham Lab實(shí)驗(yàn)室實(shí)現(xiàn)寬禁帶半導(dǎo)體電子器件的可靠性分析研究，幫助伯克利實(shí)驗(yàn)室實(shí)現(xiàn)30倍測試時(shí)間的縮短等。

據(jù)悉，此次第三屆半導(dǎo)體材料器件表征及可靠性研究交流會”吸引了來自各個(gè)相關(guān)領(lǐng)域的科技人才、研究隊(duì)伍、知名學(xué)者以及產(chǎn)業(yè)界和學(xué)術(shù)界的共同關(guān)注，受到了一致好評，為研究機(jī)構(gòu)與企業(yè)的強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)合，深化產(chǎn)學(xué)研的合作搭建了全球領(lǐng)先的一流平臺。