Soitec 2019上半年財報強勁增長 FD-SOI技術迎來發(fā)展的春天

SOI (Silicon-On-Insulator絕緣體上硅)是一種用于集成電路制造的新型原材料，替代目前大量應用的體硅(Bulk Silicon) 。作為一種全介質隔離技術，SOI 材料研究已有 20 多年的歷史。

在22nm工藝以下，F(xiàn)inFET的成本優(yōu)勢不再明顯，而FD-SOI(Fully Depleted-Silicon-On-Insulator，薄膜全耗盡絕緣襯底上的硅)則提供了一個理想的替代方案。與體硅材料相比，F(xiàn)D-SOI具有如下優(yōu)點：1、減小了寄生電容，提高了運行速度;2、由于減少了寄生電容，降低了漏電，具有更低的功耗;3、消除了閂鎖效應;4、抑制了襯底的脈沖電流干擾，減少了軟錯誤的發(fā)生;5、與現(xiàn)有硅工藝兼容，還可減少工序。

而在RF-SOI方面，得益于優(yōu)異的性價比優(yōu)勢，RF-SOI技術已廣泛應用于智能手機、WiFi等無線通訊領域，國際上用于手機的射頻器件，大部分也已經(jīng)從化合物半導體技術升級到RF-SOI技術。

預計到2022年，SOI 市場將實現(xiàn)29%的年復合增長率，產(chǎn)業(yè)規(guī)模達到18億美元。

最近，全球領先的創(chuàng)新半導體材料設計制造商Soitec公布了其2019財年上半年的業(yè)績(截至2018年9月30日)。該財務報表顯示，Soitec實現(xiàn)了強勁營業(yè)收入增長。

眾所周知，Soitec是一家來自法國的知名絕緣硅(SOI)晶圓制造商，已實現(xiàn)FD-SOI基板的高良率成熟量產(chǎn)，其300mm晶圓廠能夠支持28nm、22nm及更為先進的節(jié)點上大規(guī)模采用FD-SOI技術。

隨著FD-SOI技術在系統(tǒng)芯片(SoC)設備的設計中越發(fā)受到關注，Soitec的業(yè)務也迎來了蒸蒸日上的發(fā)展，從其最新的財務報表即可見一斑。

其財報顯示，19財年上半年的合并銷售額為1.869億歐元，較上一財年增長31%。19財年上半年毛利潤達到6,610萬歐元，高于18財年上半年的4,630萬歐元。

Soitec首席執(zhí)行官Paul Boudre評論道：“今年上半年，我們實現(xiàn)了強勁的營業(yè)收入增長，盈利能力進一步提高，與全年財測一致。經(jīng)營現(xiàn)金流盈余和適時發(fā)行的可轉換債券使我們能夠為高水平的資本支出提供資金、償還信貸額度，并以強勁的現(xiàn)金狀況完成上半年工作。

Soitec預計， 19財年的銷售額增長有望超過35%。預計RF-SOI(200-mm)和Power-SOI(200-mm)的需求穩(wěn)定，同時，伴隨FD-SOI和300-mm RF-SOI晶圓銷量的進一步增長，預計19財年下半年Soitec的300-mm業(yè)務持續(xù)增長。(文/wly)