半導體行業(yè)三巨頭激戰(zhàn)后20nm微細化

“半導體奧運會”的主角將重返賽場。在2014年2月9～13日于美國舉辦的“InternationalSolid-StateCircuitsConference（ISSCC）2014”上，世界最大的半導體企業(yè)美國英特爾公司將沉寂兩年后再次發(fā)表論文，介紹已于2013年中期投放市場的22nm工藝微處理器“Haswell（開發(fā)代碼）”等8項成果（表1）。

600)this.style.width=600;" border="0" />ISSCCFarEastRegionalSubcommittee的成員

600)this.style.width=600;" border="0" />除了數字領域，英特爾在儲存器、通信、模擬、攝像元件等領域也收獲頗豐。小于20nm的微細化技術、著眼于后微細化時代的三維化技術、省電力技術等最新成果也源源不斷。

英特爾將命運托付給工藝技術

面對領先的英特爾，臺積電（TaiwanSemiconductorManufacturing）和三星電子則發(fā)起了追擊。

ISSCC2014的看點之一是上述“三巨頭”的SoC（systemonachip）微細化之爭。英特爾在本次會議上將詳細介紹集成處理器和穩(wěn)壓器、采用新電源的Haswell省電力技術。到會議舉辦之時，14nm工藝處理器“Broadwell”（開發(fā)代碼）也有望投入量產。

在2013年11月下旬的業(yè)務說明會上，英特爾首席執(zhí)行官布萊恩·科再奇（BrianKrzanich）宣布將全力開展代工業(yè)務。在移動產品SoC陷入苦戰(zhàn)的局面下，憑借行業(yè)最尖端的制造技術與對手一決勝負。

世界第一大代工企業(yè)臺積電將發(fā)表在2013年底啟動少量生產的16nm工藝技術。因為是該公司第一代采用立體晶體管（FinFET）的技術，代表制造技術成熟度的SRAM的完成情況估計會引發(fā)關注。該公司預計將在2014年上半年，為美國蘋果等客戶建立起20nm工藝技術體系。16nm工藝也將于2014年內投入量產。

三星將發(fā)表單元面積達到業(yè)內最小的14nm工藝SRAM。直到28nm工藝，三星一直壟斷著蘋果公司SoC的代工業(yè)務。在堡壘即將被20nm工藝攻陷的今天，14nm將成為該公司力挽狂瀾的寶劍。

宣布正式開展代工業(yè)務的英特爾將從何時開始為蘋果等大公司代工生產SoC？這一點估計將吸引業(yè)內人士的目光。

NAND揭開三維化大幕

SoC微細化競爭趨于白熱化，而在NAND閃存領域，一篇預示微細化終結的論文即將發(fā)表。那就是三星關于三維NAND閃存的論文。這種閃存疊加24層內存單元，實現(xiàn)了現(xiàn)行NAND閃存的最大容量——128Gbit。此次發(fā)表16nm工藝NAND閃存的美國美光科技與韓國SK海力士也計劃在這一代向三維過渡。

探索半導體新應用途徑的論文也有望成為關注的焦點。尤其引人注目的是醫(yī)療芯片（表2）。這種芯片的作用是嵌入人體內，監(jiān)控健康狀態(tài)，按照需要刺激體內組織遏制發(fā)病。這種可作用于人體的半導體芯片也將在會議上亮相。
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