[導讀]全球最大半導體設備廠應用材料全球副總裁暨臺灣區(qū)總經理余定陸昨（5）日表示，2013年行動裝置正以強大成長力道主導未來科技市場，也帶動半導體廠的制程升級及產能投資，其中，晶圓代工廠及NANDFlash廠的制程升級，將
全球最大半導體設備廠應用材料全球副總裁暨臺灣區(qū)總經理余定陸昨（5）日表示，2013年行動裝置正以強大成長力道主導未來科技市場，也帶動半導體廠的制程升級及產能投資，其中，晶圓代工廠及NANDFlash廠的制程升級，將為設備市場帶來25~35％的成長動能。
根據應用材料的預估，2006~2008年間全球前段晶圓制造設備市場年度平均規(guī)模約300億美元，最大的投資者為DRAM廠，但至2010~2012年間，市場年度平均規(guī)模上升至325億美元，晶圓代工廠已躍升為最大投資者，而此一趨勢將持續(xù)延續(xù)到2013~2016年，市場年度平均規(guī)模將達320~350億美元。
余定陸表示，2006年時行動裝置出貨量只占PC出貨量的三分之一，但隨著智能型手機銷售在2010年后呈現(xiàn)爆炸性成長，2012年時行動裝置出貨量已是PC的2.3倍，隨著各大系統(tǒng)廠在未來幾年將再推出包括智能手表或智能眼鏡等更多種類的行動裝置，預估至2016年時行動裝置的出貨量將高達20億支，是PC市場的5.7倍。
行動裝置及PC采用的芯片最大不同，在于行動裝置對低功耗的要求特別高，但卻要求更高的運算速度，加上行動裝置帶來的巨量資料（bigdata）龐大商機，余定陸指出，未來2年內資料使用量及生產量還會再增1倍，而且智能穿戴裝置的推出及人機接口的持續(xù)進步，控制功能也會由觸控延伸到語音、手勢等感測功能，需要更大的運算能力，也會推動芯片制程的快速演進。
隨著制程微縮到28納米，提升晶體管效能的關鍵，已經由過去的微縮（litho-scaling），轉變?yōu)椴牧吓c結構上的創(chuàng)新，如晶圓代工廠28納米開始采用高介電金屬閘極（HKMG）技術，16/14納米將進入3D晶體管架構，而NANDFlash則已經在今年先走上3D架構。
余定陸指出，晶圓代工廠及NANDFlash廠的升級需求，將會是未來幾年設備市場主要成長動能，如晶圓代工廠由32/28納米升級到16/14納米的鰭式場效晶體管（FinFET），及NANDFlash廠由2D轉為3D，均將為設備市場帶來25~35％的成長動能。
根據應用材料的預估，2006~2008年間全球前段晶圓制造設備市場年度平均規(guī)模約300億美元，最大的投資者為DRAM廠，但至2010~2012年間，市場年度平均規(guī)模上升至325億美元，晶圓代工廠已躍升為最大投資者，而此一趨勢將持續(xù)延續(xù)到2013~2016年，市場年度平均規(guī)模將達320~350億美元。
余定陸表示，2006年時行動裝置出貨量只占PC出貨量的三分之一，但隨著智能型手機銷售在2010年后呈現(xiàn)爆炸性成長，2012年時行動裝置出貨量已是PC的2.3倍，隨著各大系統(tǒng)廠在未來幾年將再推出包括智能手表或智能眼鏡等更多種類的行動裝置，預估至2016年時行動裝置的出貨量將高達20億支，是PC市場的5.7倍。
行動裝置及PC采用的芯片最大不同，在于行動裝置對低功耗的要求特別高，但卻要求更高的運算速度，加上行動裝置帶來的巨量資料（bigdata）龐大商機，余定陸指出，未來2年內資料使用量及生產量還會再增1倍，而且智能穿戴裝置的推出及人機接口的持續(xù)進步，控制功能也會由觸控延伸到語音、手勢等感測功能，需要更大的運算能力，也會推動芯片制程的快速演進。
隨著制程微縮到28納米，提升晶體管效能的關鍵，已經由過去的微縮（litho-scaling），轉變?yōu)椴牧吓c結構上的創(chuàng)新，如晶圓代工廠28納米開始采用高介電金屬閘極（HKMG）技術，16/14納米將進入3D晶體管架構，而NANDFlash則已經在今年先走上3D架構。
余定陸指出，晶圓代工廠及NANDFlash廠的升級需求，將會是未來幾年設備市場主要成長動能，如晶圓代工廠由32/28納米升級到16/14納米的鰭式場效晶體管（FinFET），及NANDFlash廠由2D轉為3D，均將為設備市場帶來25~35％的成長動能。
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