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[導讀]21ic訊 恩智浦半導體(NXP Semiconductors N.V.)近日發(fā)布了LFPAK56D產(chǎn)品組合——多款雙通道Power-SO8 MOSFET,專為燃油噴射、ABS和穩(wěn)定性控制等汽車應用而設計。恩智浦LFPAK56D系列產(chǎn)品完全符合AEC-Q101標

21ic訊 恩智浦半導體(NXP Semiconductors N.V.)近日發(fā)布了LFPAK56D產(chǎn)品組合——多款雙通道Power-SO8 MOSFET,專為燃油噴射、ABS和穩(wěn)定性控制等汽車應用而設計。恩智浦LFPAK56D系列產(chǎn)品完全符合AEC-Q101標準,具有一流的性能和可靠性;同時,與通常需要使用兩個器件的DPAK解決方案相比,節(jié)省了77%的占位面積。LFPAK56D系列產(chǎn)品現(xiàn)已量產(chǎn),即將上市。

LFPAK56D在單一封裝內(nèi)集成了兩個完全獨立的MOSFET,旨在滿足苛刻的汽車工業(yè)要求。該產(chǎn)品具有業(yè)界最寬的RDSon數(shù)值,橫跨5個電壓等級,具有市面上最佳的性能、電流處理能力和可靠性。該全新的雙通道Power-SO8 MOSFET系列產(chǎn)品為客戶挑選最契合應用和模塊需求的器件提供了完全的靈活性與最大限度的自由,同時還實現(xiàn)了更高的功率密度。

在設計中采用LFPAK56D可簡化PCB的裝配和檢測并縮小模塊尺寸,以達到降低成本的目的。較小的模塊尺寸還意味著可以大幅減輕重量,這對致力于減少二氧化碳排放的制造商來說非常有吸引力。

LFPAK56基于恩智浦的專業(yè)技術(shù)而設計,是市場上完全符合AEC-Q101標準的第一款Power-SO8封裝產(chǎn)品;現(xiàn)在,恩智浦推出LFPAK56D,它同樣是一款雙通道Power-SO8 MOSFET產(chǎn)品,采用可靠的“銅夾片”粘合技術(shù)。這種銅夾片技術(shù)讓封裝具有低封裝電阻、電感以及最大額定ID值高的優(yōu)勢。

恩智浦汽車MOSFET業(yè)務開發(fā)部經(jīng)理Steve Sellick表示:“我們相信LFPAK56D將為汽車MOSFET樹立全新的行業(yè)標桿;通過開發(fā)體積更小、更緊湊的產(chǎn)品,OEM可大幅提升效率,并節(jié)省大量成本。我們符合汽車行業(yè)標準的Power-SO8 MOSFET系列擁有業(yè)界最齊全的產(chǎn)品組合,在設計安全關(guān)鍵的汽車應用時可為我們的客戶提供最大的選擇范圍。”

主要特性:

· 雙通道Power-SO8 MOSFET

· 與對應的DPAK解決方案相比節(jié)省了77%的占位面積

· 銅夾片技術(shù)——無焊線

· 最大額定ID值高

· 低封裝電阻和電感

· 低熱阻

· 耐受瞬時強電流

· 符合汽車AEC-Q101標準,最高溫度175℃

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