串口256Kb F-RAM器件（Ramtron）

Ramtron International Corporation發(fā)布了兩款具有高速讀/寫性能、更低工作電壓和可選器件功能的新型串口非易失性F-RAM產(chǎn)品，分別是帶有兩線制接口(I2C)的FM24V02和帶有串行外設(shè)接口(SPI)的FM25V02。兩款256Kb器件是Ramtron公司V系列F-RAM產(chǎn)品的最新型號，工作電壓范圍為2.0V至3.6V，采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)8腳SOIC封裝，具有快速訪問、無延遲(NoDelay™)寫入、幾乎無限的讀/寫次數(shù)及低功耗等特點(diǎn)，是工業(yè)控制、表計(jì)、醫(yī)療電子、軍事、游戲、計(jì)算機(jī)及其它應(yīng)用領(lǐng)域的256 Kb 串口閃存和串口 EEPROM存儲(chǔ)器的兼容替代產(chǎn)品。

Ramtron 市場推廣經(jīng)理Mike Peters 稱：“這兩款256 Kb V系列串口器件，具有相比上一代產(chǎn)品更低的工作電壓和更高性能，可用于替代FM24L256和 FM25L256B等舊型號器件。我們不斷擴(kuò)展V系列產(chǎn)品線，履行Ramtron對環(huán)境的承諾，提供功效更高的非易失性存儲(chǔ)器產(chǎn)品，同時(shí)免除對電池的依賴?！?/p>

關(guān)于FM24V02 和FM25V02
FM24V02能以最高3.4 MHz的I2C總線速度執(zhí)行寫入操作，并支持100 kHz 和400 kHz的傳統(tǒng)總線頻率。此器件無寫入延遲，而且無需進(jìn)行數(shù)據(jù)輪詢即可開始下一個(gè)總線周期。此外，F(xiàn)M24V02提供高達(dá)100萬億 (1E14)的讀/寫次數(shù)，相比EEPROM高出幾個(gè)數(shù)量級。FM24V02在執(zhí)行寫操作時(shí)不需要為寫入電路提供內(nèi)部升高的電源電壓，因而功耗也遠(yuǎn)較EEPROM為低。FM24V02工作模式耗電低于150μA (通常在100KHz下)，待機(jī)模式下則為90μA，而睡眠模式耗電更低至5μA。

FM25V02 在40 MHz SPI時(shí)鐘頻率下運(yùn)作的耗電量僅為3mA，待機(jī)模式下為90μA，睡眠模式下則為5μA。FM25V02的典型運(yùn)作功耗只有 38μA / MHz，較此類的串口閃存或EEPROM產(chǎn)品耗電降低了一個(gè)數(shù)量級。

 
兩款串口器件FM24V02和FM25V02均具有標(biāo)準(zhǔn)的只讀器件ID，可讓主機(jī)確定制造商、存儲(chǔ)容量和產(chǎn)品版本信息。它們還提供可選的獨(dú)特只讀序列號，方便確定帶有全球獨(dú)有ID的主機(jī)電路板或系統(tǒng)。最后，F(xiàn)M24V02 和 FM25V02能確保在-40°C至+85°C的溫度范圍工作，極之適合工業(yè)應(yīng)用。

關(guān)于V系列F-RAM
Ramtron的V系列F-RAM產(chǎn)品采用由Ramtron和德州儀器共同開發(fā)的先進(jìn)130nm CMOS生產(chǎn)工藝制造，包括多種容量的I2C、SPI和字節(jié)寬度的并口存儲(chǔ)器。其先進(jìn)的制造工藝能夠提高器件性能，并增加功能集。除了FM24V02和FM25V02之外，V系列F-RAM包括以下型號：

• FM24V10 (1Mb串口I2C F-RAM)
• FM25V10 (1Mb串口SPI F-RAM)
• FM24V05 (512Kb串口I2C F-RAM)
• FM25V05 (512Kb串口SPI F-RAM )
• FM28V100 (1Mb并口F-RAM)

價(jià)格和供貨
Ramtron現(xiàn)提供采用符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)的8腳SOIC封裝的FM24V02 and FM25V02樣品，訂購1萬片，F(xiàn)M24V02的起價(jià)為每片2.39美元；FM25V02起價(jià)為2.35美元。