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[導讀]Ramtron International Corporation宣布推出新型V系列串口和并口F-RAM產品之第二款并口器件FM28V020。 FM28V020與其它V系列F-RAM一樣,具有較高的讀寫速度和較低的工作電壓,其容量為256Kb、工作電壓為2.0至3.6V,并

Ramtron International Corporation宣布推出新型V系列串口和并口F-RAM產品之第二款并口器件FM28V020。 FM28V020與其它V系列F-RAM一樣,具有較高的讀寫速度和較低的工作電壓,其容量為256Kb、工作電壓為2.0至3.6V,并采用業(yè)界標準28腳SOIC封裝,具有快速訪問、無延遲(NoDelay™) 寫入、無乎無限的讀寫次數(shù)及低功耗特點。FM28V020可用于工業(yè)控制、儀表、醫(yī)療、汽車電子、軍事、游戲和計算機及其它應用領域中,作為需電池供電的SRAM的兼容替代產品。

Ramtron市場拓展經理Mike Peters稱:“FM28V020相比現(xiàn)有256Kb并口存儲器有多項性能提升,與目前廣泛使用的FM18L08比較之下,F(xiàn)M28V020具有更快的訪問速度和更短的讀寫周期,低至2V的工作電壓則容許在更低的工作電流下工作,而且頁面模式工作頻率高達40MHz,是需電池供電的SRAM或NVSRAM的簡便升級產品。”

關于FM28V020

FM28V020是配置為32K x 8的非易失性鐵電隨機存取存儲器 (F-RAM),讀寫操作與標準SRAM相似,能夠在斷電后保存數(shù)據(jù),提供超過10年的數(shù)據(jù)保存能力,可消除需電池供電的SRAM (BBSRAM) 帶來的諸如可靠性、功能缺陷和系統(tǒng)設計復雜性等問題。去除了系統(tǒng)中的電池可以簡化生產過程,減少系統(tǒng)維護,并且顯得更加環(huán)保。F-RAM具有的寫入速度快,幾乎無限的讀寫次數(shù)等特點 (寫入次數(shù)大約為1014次),使其優(yōu)于其它類型的存儲器。

FM28V020在系統(tǒng)內的工作方式與其它RAM器件類似,可以用作標準SRAM的兼容替代器件。只需開啟芯片的使能引腳或改變地址,就可觸發(fā)讀寫操作。由于F-RAM存儲器采用獨特的鐵電存儲器工藝,具有非易失性的特點,所以極度適用于需要頻繁或快速寫入數(shù)據(jù)的非易失性存儲應用。FM28V020可在-40°C至+85°C的整個工業(yè)環(huán)境溫度范圍內工作。

關于V系列F-RAM

Ramtron 的V系列F-RAM產品采用由Ramtron 和德州儀器(TI)共同開發(fā)的先進130nm CMOS生產工藝制造,所實現(xiàn)的器件性能改進包括:

提高存儲器性能: 隨著FM28V020的推出,256-Kb 并口F-RAM的存儲周期已從140ns降低到90ns,比Ramtron現(xiàn)有256-Kb并口 F-RAM 器件縮短64%。 SPI和 I2C 串口V系列產品的讀寫性能則較Ramtron現(xiàn)有串口F-RAM 產品提高2至3倍。

更低的工作電壓,更寬的電壓范圍: V系列F-RAM由于采用德州儀器130nm F-RAM制造工藝,現(xiàn)已具有設置低至2.0V工作電壓的靈活性,讓F-RAM在更多電子系統(tǒng)的固有電壓下工作。

FM28V020是不斷增長的V系列產品之最新成員,V系列目前包括以下F-RAM存儲器
• FM28V100 (1Mb并口F-RAM)
• FM28V020 (256Kb 并口F-RAM)
• FM24V10 (1Mb串口I2C F-RAM)
• FM25V10 (1Mb串口SPI F-RAM)
• FM24V05 (512Kb串口I2C-RAM)
• FM25V05 (512Kb串口PI F-RAM)
• FM24V02 (256Kb串口I2C F-RAM)
• FM25V02 (256Kb串口SPI F-RAM)

價格和供貨
Ramtron現(xiàn)提供采用符合“綠色” RoHS標準的28腳SOIC封裝的FM28V020樣品,訂購1萬片,起價為每片3.49美元。

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