[導(dǎo)讀]21ic訊 International Corporation (簡稱Ramtron)宣布提供全新4-至 64Kb串口非易失性鐵電 RAM (F-RAM)存儲器的預(yù)認證樣片，新產(chǎn)品采用Ramtron全新美國晶圓供應(yīng)商的鐵電存儲器工藝制造，具有1萬次 (1e12)的讀/寫循環(huán)、
21ic訊 International Corporation (簡稱Ramtron)宣布提供全新4-至 64Kb串口非易失性鐵電 RAM (F-RAM)存儲器的預(yù)認證樣片，新產(chǎn)品采用Ramtron全新美國晶圓供應(yīng)商的鐵電存儲器工藝制造，具有1萬次 (1e12)的讀/寫循環(huán)、低功耗和無延遲(NoDelay™ )寫入特性。
FM25040C、FM25C160C和FM25640C分別是 4、16和 64Kb F-RAM存儲器，能夠以高達20MHz的總線速度進行寫操作，具有行業(yè)標準串行外設(shè)接口(SPI)。F-RAM存儲器陣列在接收到數(shù)據(jù)后，立即將數(shù)據(jù)寫入存儲器，不同于需要數(shù)據(jù)輪詢的EEPROM和其它非易失性存儲器，F(xiàn)-RAM存儲器可以立即開始下一個總線周期，這些特性使得Ramtron最新的串口F-RAM存儲器非常適合需要頻繁和快速寫入的非易失性存儲器應(yīng)用，包括工業(yè)控制和高速數(shù)據(jù)采集等應(yīng)用。
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