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[導(dǎo)讀]21ic訊 日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出2013年的“Super 12”特色產(chǎn)品。Vishay的Super 12精選產(chǎn)品展示了該公司在半導(dǎo)體和無源器件方面的領(lǐng)先優(yōu)勢(shì),為設(shè)計(jì)工程師提供接觸業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的性能規(guī)格的

21ic訊 日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出2013年的“Super 12”特色產(chǎn)品。Vishay的Super 12精選產(chǎn)品展示了該公司在半導(dǎo)體和無源器件方面的領(lǐng)先優(yōu)勢(shì),為設(shè)計(jì)工程師提供接觸業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的性能規(guī)格的捷徑,以及從中管窺Vishay非常廣泛的產(chǎn)品組合。

2013年的Super 12產(chǎn)品是:

VCNL3020全集成接近傳感器 — 將一個(gè)紅外發(fā)射器、光電二極管、信號(hào)處理IC和16位ADC組合進(jìn)小尺寸表面貼裝封裝里。傳感器支持易用的I2C總線通信接口,具有中斷功能。

WSBM8518 Power Metal Strip® 電池電流采樣電阻 — 采用帶有4pin內(nèi)插連接器的模塑外殼,易于實(shí)現(xiàn)從分流電阻到PCB板的連接。器件具有100µΩ的極低阻值,可提高汽車和工業(yè)應(yīng)用中電池管理的精度。

170 V TMBS® Trench MOS勢(shì)壘肖特基整流器 — 這些整流器適用于通信電源,具有10A~80A的電流等級(jí)和0.65V的極低正向壓降,采用TO-220AB、TO-263AB和TO-3PW功率封裝。

MCW 0406 AT專業(yè)和精密系列寬端頭薄膜片式電阻 — 器件通過AEC-Q200認(rèn)證,兼具高達(dá)300mW的功率等級(jí)和非常高的精密度,包括±0.1%的公差、±25ppm/K的TCR和低至1Ω的歐姆值,可用于汽車和工業(yè)電子產(chǎn)品。

TrenchFET® Gen IV功率MOSFET — 使用新型高密度設(shè)計(jì),在10V和4.5V下具有1.0mΩ和1.35mΩ的超低導(dǎo)通電阻,小于0.5的極低Qgd/Qgs比,采用PowerPAK® SO-8、PowerPAK 1212-8和PowerPAIR®封裝。

IHLP-6767GZ-5A IHLP® 低高度、大電流電感器 — Vishay的最大IHLP功率電感器。這款器件可在+155℃下連續(xù)工作,1.0μH電感的電流最高可達(dá)53A,可用于汽車應(yīng)用。

eSMP® SlimSMA™ 和SMPD封裝 — 非常適合消費(fèi)、計(jì)算機(jī)、工業(yè)、通信和汽車應(yīng)用,SlimSMA DO-221AC封裝的整流器和瞬態(tài)電壓抑制器具有0.95mm的超低高度,SMPD封裝器件的典型高度為1.7mm。

LPS 1100功率厚膜電阻 — 對(duì)于風(fēng)電機(jī)組和剎車系統(tǒng),器件是首款采用小尺寸57mm x 60mm封裝的功率厚膜電阻,在+25℃下的功率等級(jí)達(dá)1100W。

E系列高壓MOSFET -- 600V和650V MOSFET采用Vishay的下一代超級(jí)結(jié)技術(shù),特定導(dǎo)通電阻低30%,改進(jìn)了柵極電荷,采用TO-220 FullPAK、TO-247AC/AD、D2PAK、DPAK、IPAK和PowerPAK 8x8封裝。

T16液鉭電容器 — T16器件采用鉭材料和玻璃到鉭膜的密封,提高了性能,在+ 85℃下的反向電壓為1.5V,采用高可靠性設(shè)計(jì)。

SiP32458/SiP32459由轉(zhuǎn)換速率控制的負(fù)載開關(guān) — 這款高邊負(fù)載開關(guān)采用小型1mm x 1.5mm WCSP封裝,工作電壓為1.5V~5.5V,在3V~5.5V范圍導(dǎo)通電阻穩(wěn)定在20mΩ。

VJ HIFREQ系列表面貼裝多層陶瓷片式電容器(MLCC) — 器件采用0402、0603和0805外形尺寸,Q值大于2000,耗散因數(shù)小于0.05 %。

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