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[導(dǎo)讀] 是德科技公司(NYSE:KEYS)日前宣布,推出最新版本的器件建模和表征軟件套件:集成電路表征和分析程序(IC-CAP)2016、模型建立程序(MBP) 2016 和模型質(zhì)量檢驗(MQA)2016。該軟件版本通過在建模和表征效率方面的改進(jìn),

 是德科技公司(NYSE:KEYS)日前宣布,推出最新版本的器件建模和表征軟件套件:集成電路表征和分析程序(IC-CAP)2016、模型建立程序(MBP) 2016 和模型質(zhì)量檢驗(MQA)2016。該軟件版本通過在建模和表征效率方面的改進(jìn),使設(shè)計師能夠表征并建立半導(dǎo)體器件模型。

IC-CAP 2016

是德科技的 IC-CAP 2016 軟件是一個可為當(dāng)今半導(dǎo)體建模工藝提供強大表征與分析能力的器件建模程序。IC-CAP 2016 提供了完整的 DynaFET 系統(tǒng)解決方案,用于為功率放大器(PA)應(yīng)用中使用的 GaN 和 GaAs HEMT 建模。IC-CAP 包括測量和建模軟件,以提取先進(jìn)設(shè)計系統(tǒng)(ADS)DynaFET-一個自行開發(fā)的 GaAs 和 GaN HEMT 器件模型。

ADS DynaFET 模型的關(guān)鍵優(yōu)勢是其能夠精確預(yù)測由于熱量和捕獲現(xiàn)象所造成的動態(tài)記憶效應(yīng),這一成果反之又能為預(yù)測增益和功率增加效率(PAE)提供前所未有的精度——二者均為射頻 PA 電路設(shè)計中的關(guān)鍵品質(zhì)因數(shù)。專用測量軟件可使用是德科技非線性網(wǎng)絡(luò)分析儀(NVNA)收集大信號數(shù)據(jù)。這些波形代表著在不同的射頻功率、偏置點和輸出阻抗處所測得的動態(tài)負(fù)載線,然后直接加載至IC-CAP 2016 的提取包。這一模型使用人工神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)(ANN)來提取,并可直接在 ADS 軟件中使用。

IC-CAP 2016 的另一關(guān)鍵特征是為是德科技E5270、B1500A 和 B1505A 儀器驅(qū)動程序提供和之前版本相比達(dá)三倍的測量速度的改進(jìn)。這一速度的提升有助于緩解必須要以極高精度測量大量數(shù)據(jù)所面臨的挑戰(zhàn);該過程在此前是一個極為耗時的過程。IC-CAP 2016 還增添了新的儀器驅(qū)動程序以支持 是德科技E4990 阻抗分析儀 和 E5061B 網(wǎng)絡(luò)分析儀。

MBP 和 MQA 2016

是德科技的 MBP 2016 是一個可為大批量、高吞吐量器件建模提供自動化和靈活性的一站式解決方案,同時MQA 2016 為無晶圓設(shè)計公司、IDM公司 和代工廠提供了完整的解決方案和框架,以進(jìn)行 SPICE 模型庫驗證、比較和報告生成。MBP 2016 的提取包已經(jīng)過更新,可支持業(yè)內(nèi)標(biāo)準(zhǔn)的 BSIM-IMG 版本 102.6。為支持全耗盡絕緣體上硅(FDSOI)技術(shù)——一項用于 28 nm 以下節(jié)點的主流技術(shù),是德科技正致力于為 Leti-UTSOI 模型開發(fā)建模技術(shù)。

是德科技器件建模規(guī)劃經(jīng)理 Roberto Tinti 表示:“我們將繼續(xù)對器件建模平臺進(jìn)行投資,尤其是關(guān)注效率和 DynaFET 和 FDSOI 建模等新興技術(shù)。我們的目標(biāo)是幫助建模工程師在更短時間內(nèi)生成高質(zhì)量的模型。我們還將繼續(xù)與是德科技研發(fā)實驗室和全球合作伙伴協(xié)作,為我們平臺上的先進(jìn)技術(shù)開發(fā)成套建模解決方案。”

MBP 2016 還推出了專為進(jìn)一步提高日常建模效率而全新設(shè)計的corner模型生成模塊。該模塊整合了所有必要的組件以進(jìn)行手工調(diào)節(jié)或自動優(yōu)化,包括預(yù)定義擬合目標(biāo)和查看圖表等。

隨著技術(shù)節(jié)點越來越小,SPICE 模型庫變得日益復(fù)雜。MQA 2016 可為先進(jìn)的 16 nm TSMC 建模接口(TMI)庫和混合 SPICE 語法提供更好的支持。此外,MQA 2016 支持 64 位操作系統(tǒng),這使該軟件適合加載和管理大型模型庫和數(shù)據(jù)。

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