日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出一款在一個PowerPAK® MLF6x6封裝內(nèi)集成DrMOS解決方案的器件 --- SiC769，該器件同時提供了高壓側(cè)和低壓側(cè)的N溝道MOSFET，外加全功能的MOSFET驅(qū)動器IC。SiC769分別提供針對3.3V和5V控制器的兩個型號，完全符合服務(wù)器和桌面計算機(jī)、圖形卡、工作站、游戲控制臺和其他高功率的CPU系統(tǒng)中電壓穩(wěn)壓器的DrMOS規(guī)范。器件使操作頻率可超過1MHz，從而降低多相VR拓?fù)涞某叽绾统杀尽?/p>
SiC769采用3V～16V的輸入電壓，可輸出最高達(dá)35A的連續(xù)輸出電流。集成的功率MOSFET對0.8V～2.0V的輸出電壓進(jìn)行了優(yōu)化，標(biāo)稱輸入電壓為12V。SiC769還可以在5V輸出下，為ASIC應(yīng)用提供非常高的功率。
SiC769先進(jìn)的柵極驅(qū)動IC接收來自VR控制器的一個PWM輸入，把它轉(zhuǎn)換成高壓側(cè)和低壓側(cè)MOSFET柵極驅(qū)動信號。PWM輸入與所有的控制器兼容，尤其是支持帶有三態(tài)PWM輸出功能的控制器。驅(qū)動IC中的電路能夠自動探測輕負(fù)載情況，然后自動啟動系統(tǒng)中的跳頻模式操作(SMOD)，該模式可提高輕負(fù)載條件下的效率。自適應(yīng)的死區(qū)時間控制能夠進(jìn)一步地提高效率。保護(hù)功能包括UVLO、擊穿保護(hù)，熱報警功能可在結(jié)溫過高時對系統(tǒng)發(fā)出報警信號。
SiC769中集成的驅(qū)動IC和功率MOSFET降低了功率損耗，減輕了與高頻分立功率級相關(guān)的寄生阻抗的影響。SiC769還采用了先進(jìn)的封裝，與競爭技術(shù)相比，將封裝中的功率損耗減少了30%。設(shè)計者可以對高頻開關(guān)進(jìn)行優(yōu)化，改善瞬態(tài)響應(yīng)，節(jié)約輸出濾波器器件的成本，并實現(xiàn)在多相Vcore應(yīng)用中最高的功率密度。這樣可以節(jié)約PCB面積，為使用者的核心競爭技術(shù)提供更多的施展空間。
SiC769現(xiàn)可提供樣品，并已實現(xiàn)量產(chǎn)，大宗訂貨的供貨周期為十周。
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