ST新款I(lǐng)C為谷歌下一代48V數(shù)據(jù)中心架構(gòu)提供最高轉(zhuǎn)換能效

·48V電源架構(gòu)的創(chuàng)新的可擴(kuò)展、隔離型功率轉(zhuǎn)換架構(gòu)降低功耗、空間和成本

·新系列的三款I(lǐng)C現(xiàn)已量產(chǎn)出貨

意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡稱ST)日前發(fā)布新系列48V電源架構(gòu)專用功率轉(zhuǎn)換IC，三款新產(chǎn)品即日起批量出貨。

為滿足對性能需求越來越高的客戶，服務(wù)器和處理器采用多核芯片提高計(jì)算能力，但是耗電量也隨之水漲船高。意法半導(dǎo)體的下一代功率轉(zhuǎn)換架構(gòu)旨在于大幅降低數(shù)據(jù)中心服務(wù)器的耗電量，同時(shí)符合谷歌發(fā)布的新一代48V電源架構(gòu)的技術(shù)要求。

意法半導(dǎo)體開發(fā)出一系列支持全部數(shù)據(jù)中心功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用的IC，實(shí)現(xiàn)了48V功率直接數(shù)字轉(zhuǎn)換。直接數(shù)字功率轉(zhuǎn)換技術(shù)消除了中間轉(zhuǎn)換級，可最大限度降低數(shù)據(jù)中心的配電功率損耗，同時(shí)還降低了轉(zhuǎn)換器的空間占用、散熱量和成本。新款的IC全面符合英特爾的 VR12.5 (Haswell和Broadwell)、VR13(Skylake)和DDR3/4穩(wěn)壓電源規(guī)范，以及所有的數(shù)據(jù)中心用FPGA和ASIC標(biāo)準(zhǔn)。在 36V-72V輸入電壓范圍, 0.5V至12V的輸出電壓范圍，三款芯片以及意法半導(dǎo)體的低壓StripFETTM功率MOSFET系列產(chǎn)品保證系統(tǒng)工作穩(wěn)健且高效。按照這些規(guī)范的規(guī)定，在12V/500W時(shí)，功率轉(zhuǎn)換器取得同級最高的>97%的能效，優(yōu)異的系統(tǒng)帶寬，占用最小的印刷電路板空間。

意法半導(dǎo)體事業(yè)部副總裁兼模擬器件產(chǎn)品部總經(jīng)理Matteo LoPresti表示：“這個(gè)48V電源架構(gòu)是超高能效數(shù)據(jù)中心大幅降低總擁有成本的理想選擇，為支持下一代電源應(yīng)用，意法半導(dǎo)體已經(jīng)量產(chǎn)獨(dú)有的隔離型諧振功率轉(zhuǎn)換器，可以提供業(yè)內(nèi)最高的能效，以及出色的系統(tǒng)擴(kuò)展性和設(shè)計(jì)靈活性。”

三款I(lǐng)C現(xiàn)已上市，意法半導(dǎo)體還提供一個(gè)演示板，讓客戶了解48V電源架構(gòu)的優(yōu)勢及其三片解決方案，詳情可聯(lián)系當(dāng)?shù)匾夥ò雽?dǎo)體銷售代表。

技術(shù)說明:

意法半導(dǎo)體的隔離型諧振直接轉(zhuǎn)換技術(shù)在所有潛在應(yīng)用中均表現(xiàn)出優(yōu)異的靈活性，特別值得一提的是:

·STRG02是一個(gè)二次控制器，具有預(yù)測性零電壓開關(guān)和零電流開關(guān)控制功能，同時(shí)允許在自適應(yīng)調(diào)整電壓降低時(shí)降低功耗。

·STRG04是一個(gè)60V全橋驅(qū)動(dòng)器，可驅(qū)動(dòng)各種外部高頻MOS-(金屬氧化物半導(dǎo)體)或氮化鎵開關(guān)。該芯片支持各種輸入電壓，從而大幅簡化電源供給，包括直接連接備用電池，提高系統(tǒng)的實(shí)用性。

·STRG06是一款可擴(kuò)展的數(shù)字電源控制器，適用于48V數(shù)據(jù)中心電源架構(gòu)，可管理多達(dá)六個(gè)并聯(lián)的轉(zhuǎn)換器，支持輸出功率50W至300W。STRG06還實(shí)現(xiàn)了能源比例控制、自適應(yīng)交錯(cuò)式、均流錯(cuò)誤管理和完整的PMBUS擴(kuò)展指令集、一次側(cè)和二次側(cè)遙測數(shù)據(jù)接口、數(shù)據(jù)跟蹤分析安全系統(tǒng)(即數(shù)據(jù)中心黑匣子記錄儀)。