電遷移是導電金屬材料在通過高密度電流時，金屬原子沿著電流運動方向(電子風)進行遷移和質量可控的擴散現(xiàn)象，它與金屬材料的電流密度和溫度數(shù)值密切相關。當凸點及其界面處的局部電流密度超過電遷移門檻值時，高速運動的電子流形成的電子風與金屬原子發(fā)生劇烈碰撞，進行部分的沖量交換，迫使原子沿著電子流方向運動，從而發(fā)生凸點互連的電遷移。通常電遷移能在陰極造成金屬原子的流失而產(chǎn)生微空洞，使互連面積減小導致斷路，在陽極造成金屬原子的堆積而形成凸起的“小丘”,導致短路，從而引起IC及元器件失效。電遷移是引起IC及電子產(chǎn)品失效的一種重要機制。因此，有必要針對Au的電遷移特性進行研究，明確Au電遷移對電路的影響。
某限幅低噪聲放大器在交付用戶使用一段時間后出現(xiàn)輸出不穩(wěn)定現(xiàn)象，在確認失效樣品電參數(shù)后，開封檢查觀察到內部沒有短路、斷路現(xiàn)象或明顯的缺陷區(qū)。由于放大管中主要功能元件是兩級砷化鎵金屬半導體場效應晶體管(MESFET)，采用新的同型號的MESFET 將其置換后，功能恢復正常。根據(jù)以上檢測排除，最終鎖定場效應管失效。
筆者借助掃描電子顯微鏡和X 射線能譜儀對該MESFET中的異常導電層不同微區(qū)進行了微觀分析，找出了產(chǎn)生此問題的原因。
1 實驗
實驗儀器為日本JEOL 公司生產(chǎn)的JSM-6490LV型掃描電子顯微鏡(SEM)，配有美國EDAX 公司生產(chǎn)的Genesis2000XMS 型X 射線能譜儀(EDS)附件。
實驗樣品為失效的GaAs-MESFET,圖1 為其結構圖，襯底材料是具有高電阻率的本征砷化鎵，在溝道上制作柵極金屬，與n型半導體之間形成肖特基勢壘接觸，源極和漏極金屬與n+ 型半導體之間形成歐姆接觸。該MESFET采用n+-GaAs-Au歐姆接觸系形成源漏接觸電阻和Al-W-Au的砷化鎵肖特基勢壘接觸系統(tǒng)。
2 結果與討論
2.1 Au 導電層的微觀形貌和成分對比分析
對失效場效應管進行SEM 觀察，結果見圖2.由圖2(b)可知，正常導電層(區(qū)域A)完好，場效應管柵極表面(區(qū)域B)存在明顯的金屬層缺失(孔洞)，柵源兩極之間(C 區(qū)域)可見金屬顆粒堆積(小丘)。
為確認是否是鍍金層Au 的遷移引起導電層中間出現(xiàn)金屬孔洞現(xiàn)象和金屬顆粒堆積現(xiàn)象，用EDS對圖2 中三個不同微區(qū)A、B、C 進行成分分析，結果見EDS 能譜圖3 和表1.由表中成分數(shù)據(jù)可知，兩柵極連通導線最表層為鍍金層，相比正常鍍層表面，區(qū)域B 的Au 層缺失嚴重并露出下層金屬鎢，而本不應該出現(xiàn)Au 的區(qū)域C 出現(xiàn)了Au 元素。[!--empirenews.page--]
因此，圖3 和表1 的數(shù)據(jù)表明，鍍Au 導電層B區(qū)域出現(xiàn)Au 遷移現(xiàn)象，導致其表面出現(xiàn)孔洞，而一部分的Au 又遷移到C 區(qū)域形成小丘狀的金屬顆粒。
2.2 Au 遷移引起MESFET 管失效原因分析
Au 做肖特基勢壘金屬時，Au 與GaAs 的黏附性能也不好，并且Au 向半導體內部擴散及鎵向Au 的擴散還促進了Au 向砷化鎵擴散。而鋁不但具有高的電導率，還與砷化鎵有好的黏附性，但鋁具有易氧化，承受電沖擊的能量較小、易電遷移和電導率比Au 低等特性，因此在鋁和Au 之間加入鎢阻擋層，防止鋁易氧化及屏蔽Au 向GaAs 擴散效應。
電路工作過程中，柵條較細，其導電層上面的電流密度較高，金屬離子主要受到電子流對它的作用力，從而和電子流一樣朝正極方向移動，相應所產(chǎn)生的金屬離子空位向負極方向移動，這樣就造成了Au的凈質量傳輸。
在電遷移過程的擴展階段，由于采用了高對流系數(shù)的熱傳導方法，互連結構的實際溫升得到了控制，顯著減小了高溫引起的原子熱遷移對電遷移的干擾，所以此階段Au的遷移驅動力主要是電遷移力。
在電遷移過程的快速失效階段，Au 的遷移是熱遷移和電遷移共同作用的結果：電遷移力驅動陰極處原子的遷移，Au 的流失導致電阻增大造成了局部區(qū)域的快速溫升;而更高的溫度使得熱遷移力成為原子遷移的主要驅動力，并最終導致了Au 嚴重的流失，使B 區(qū)域出現(xiàn)孔洞現(xiàn)象，C 區(qū)域出現(xiàn)了含有大量Au 的金屬小丘。
3 結論
在電流作用下，放大器中MESFET 柵條鍍Au層出現(xiàn)了Au 的電遷移，使導線局部電阻的增大，溫度升高，使 Au 的熱遷移加重，最終導致導線出現(xiàn)孔洞現(xiàn)象和柵源極處出現(xiàn)小丘狀的金屬顆粒?？锥船F(xiàn)象會使導線出現(xiàn)開路，而柵源極間的金屬顆粒造成的不穩(wěn)定接觸會出現(xiàn)短路現(xiàn)象，導致MESFET 工作參數(shù)漂移和放大器不正常工作。
因此，為了提高抗電遷移能力，設計方面應從降低電流密度、降低結溫、增加散熱方面合理研發(fā)半導體器件;工藝方面應嚴格控制金屬膜質量并進行檢查;最后建議器件在封裝、存儲時應避免濕氣環(huán)境，一定程度上可以降低電遷移的發(fā)生幾率。
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