IR推出具有高封裝電流額定值的全新溝道型HEXFET功率MOSFET系列
時(shí)間：2018-10-26 15:40:01
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[導(dǎo)讀]功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱(chēng)IR) 推出具有高封裝電流額定值的全新溝道型HEXFET功率MOSFET系列，適用于工業(yè)用電池
功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱(chēng)IR) 推出具有高封裝電流額定值的全新溝道型HEXFET功率MOSFET系列，適用于工業(yè)用電池、電源、高功率DC馬達(dá)及電動(dòng)工具。
新器件的封裝電流額定值達(dá)到195A，比典型封裝電流額定值高出60%。新款MOSFET具有更低的導(dǎo)通電阻 (RDS (on)) ，并可使用常用的TO-220、D2PAK和TO-262封裝。此外，7 管腳D2PAK封裝的電流額定值達(dá)到240A的卓越水平，使它成為市場(chǎng)上最耐用的表面貼裝封裝之一。這種7管腳D2PAK封裝比D2PAK封裝具更低的RDS (on) 。
IR亞洲區(qū)銷(xiāo)售副總裁潘大偉表示：“這些封裝提供的更高電流額定值有助于利用不需要的瞬態(tài)提供更多防護(hù)頻帶，而且還能讓數(shù)枚MOSFET分享高電流的平行式拓?fù)涞靡詼p少器件數(shù)目。”
全新N信道MOSFET系列提供60V至200V的電壓，并達(dá)到工業(yè)級(jí)別及濕度敏感度第一階(MSL1) 標(biāo)準(zhǔn)。新器件均不含鉛及符合電子產(chǎn)品有害物質(zhì)限制指令 (RoHS) 。
國(guó)際整流器公司 (簡(jiǎn)稱(chēng)IR，紐約證交所代號(hào)IRF) 是全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商。IR的模擬及混合信號(hào)集成電路、先進(jìn)電路器件、集成功率系統(tǒng)和器件廣泛應(yīng)用于驅(qū)動(dòng)高性能計(jì)算設(shè)備及降低電機(jī)的能耗 (電機(jī)是全球最大耗能設(shè)備) ，是眾多國(guó)際知名廠商開(kāi)發(fā)下一代計(jì)算機(jī)、節(jié)能電器、照明設(shè)備、汽車(chē)、衛(wèi)星系統(tǒng)、宇航及國(guó)防系統(tǒng)的電源管理基準(zhǔn)。
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