• 通過使用具有頂部冷卻功能的 SMD 封裝來提高 DC-DC 轉換器的性能

    本文分析了表面貼裝 (SMD) 封裝中的硅 MOSFET在熱性能方面與底部冷卻封裝相比在熱性能方面的效率，從而降低了熱阻和工作溫度。它將展示如何降低結溫有助于提高功率效率，因為主要硅 MOSFET 參數(shù)會因溫度變化(如 RDS (on)和 Vth 電平)而發(fā)生更平滑的變化，以及降低總導通和開關損耗。

  • 使用先進性能的電機驅動方案，來解決電動汽車的使用焦慮

    電動汽車的概念對今天的消費者來說并不陌生。近兩個世紀以來，電動汽車以多種形式存在。然而，在過去的幾十年里，隨著技術的進步和特斯拉等公司的成功——隨著我們努力應對氣候變化、空氣污染和化石燃料供應不斷減少的影響——越來越多的消費者開始考慮電動汽車比以往任何時候都。

  • 使用高壓功率器件封裝的設計說明

    盡管寬禁帶器件近年來已經(jīng)開始進入商業(yè)市場，但其封裝設計尚未成熟，尤其是在高溫高壓應用方面。在本文中，將介紹為此目的而制造的 5 kV 雙面冷卻 GaN 功率模塊(作為由高級研究計劃署 - 能源資助的研究的一部分)。

  • 具有金屬源極和漏極觸點的肖特基勢壘 (SB) MOSFET 的介紹

    隨著半導體行業(yè)的最新進展，對具有金屬源極和漏極觸點的肖特基勢壘 (SB) MOSFET 的研究正在興起。在 SB MOSFET 中，源極和漏極構成硅化物，而不是傳統(tǒng)的雜質摻雜硅。SB MOSFET 的一個顯著特征是一個特殊的二極管，如在 I d -V ds特性的三極管操作期間指數(shù)電流增加。當在邏輯電路中應用此類器件時，小偏置電壓極不可能發(fā)生，就會發(fā)生這種情況。

  • PowerUP Expo討論電力電子技術的下一步發(fā)展

    電力電子涉及從電氣化到智能電網(wǎng)的一系列關鍵應用。是整個行業(yè)應對氣候變化需求的根本支柱 2022年的PowerUP博覽會在6月28日至30日舉行。技術會議將包括幾個特定主題的主題演講、小組討論、技術演示和關于主要技術趨勢、市場需求和新的應用領域的教程。除了會議之外，還將有一個展廳，擁有來自主要電力電子公司的虛擬展位，以及一個聊天工具，讓參觀者可以直接與彼此、與主持人以及展覽公司建立聯(lián)系。

  • 適用于小尺寸面板的 ESD 和 EOS 解決方案

    小尺寸面板主要包括手機觸摸屏、平板觸摸屏、數(shù)碼相機觸摸屏。這些面板和主板之間最常見的數(shù)據(jù)連接接口是MIPI(移動工業(yè)處理器接口)。通過加入 TVS 保護方案，提高 ESD 和 EOS 耐受水平，可以大大降低電子產(chǎn)品在日常生活中受到干擾甚至破壞的機會，從而延長產(chǎn)品的使用壽命，降低返修率，允許消費者對產(chǎn)品的信任度更高，品牌美譽度也隨之提高。

    功率器件
    2022-12-08
    ESD EOS

  • 建立SiC VJFET 的動態(tài)電路模型

    在與電子儀器相關的行業(yè)中，與傳統(tǒng)的硅基半導體相比，寬帶隙半導體的創(chuàng)新已被證明是有利可圖和有效的。碳化硅 (SiC)寬帶隙半導體是最先進的半導體之一，具有顯著的相關性。這些半導體在各種參數(shù)(如高溫、頻率、電壓等)方面表現(xiàn)相當出色。

  • 用于毫米波 (mmW) GaN HEMT 器件的基于 TCAD 的協(xié)同設計方法

    毫米波技術領域的不斷進步因其波長減小和頻帶寬而對無線通信系統(tǒng)做出了貢獻。這使制造商能夠設計更小但性能更高的組件。氮化鎵已證明自己在該領域是一種很有前途的半導體，其目標應用包括高功率放大器、寬帶放大器和5G無線網(wǎng)絡。

  • 什么是半導體？半導體材料具有與絕緣體和導體相同的導電特性

    半導體材料具有與絕緣體和導體相同的導電特性。它們可以由純元素(如硅或鍺)組成，也可以由兩種元素(如砷化鎵或硒化鎘)混合而成。半導體材料可以通過在純半導體中添加雜質來摻雜，從而改變它們的導電性能。

  • 老化測試有助于面對 SiC MOSFET 的不穩(wěn)定性

    在本文中，我們將重點介紹老化測試如何幫助評估碳化硅 MOSFET 在晶圓級的柵極閾值電壓的穩(wěn)定性。眾所周知，關于 SiC 功率器件可靠性的一個主要問題是器件工作期間閾值電壓 (V TH ) 的變化。

  • Infineon具有高度集成控制器的車內(nèi)無線充電解決方案

    無線充電技術的范圍從感應、磁共振和電容到射頻輻射、激光、聲學和其他新興技術。電感耦合技術是領跑者1;因此，其相關的Qi 標準在無線充電中最為流行。 感應充電根據(jù)法拉第定律工作，其中功率發(fā)射器 (PTx) 線圈中的交流電會產(chǎn)生交變磁場。然后，該磁場與功率接收器 (PRx) 線圈相互耦合，并轉換回交流電流，為連接在接收器側的直流負載進行整流。

  • 驅動和保護電源開關的先進解決方案

    今天，新的功率開關技術被廣泛采用在高功率密度、高開關頻率、小外形因素是關鍵要求的要求應用中。這些新的開關設備產(chǎn)生不同的三個關鍵應用是

  • 如何選擇合適的放大器來保護ADC芯片

    許多模擬系統(tǒng)必須以出色的保真度或低失真適應非常大范圍的信號幅度。同時，一些信號鏈組件被過大的信號損壞。一個示例是模數(shù)轉換器(ADC) 輸入。對于像ADC16DV160這樣的高性能 ADC ，其中一個 Vin 引腳上的絕對最大輸入電壓為 2.35-V。

  • GaN 功率器件，E-模式 HEMT技術選擇介紹和發(fā)展情況

    最流行的 e-mode HEMT 結構是在柵極上使用 p-GaN 層。實現(xiàn)的典型 Vt 在 1-2 V 范圍內(nèi)。HEMT 在開關應用中的固有優(yōu)勢得以保留，并且開關損耗可以更低。e-mode 器件的主要缺點之一是其低 Vt，這可能導致柵極對噪聲和 dV/dt 瞬態(tài)的抗擾度較差。出于可靠性原因，最大柵極電壓通常限制為 6-7 V，并且可能需要負電壓來關閉器件。

  • .GaN 功率器件，D 模式 HEMT技術選擇介紹

    氮化鎵 (GaN) 功率器件在幾個關鍵性能指標上都優(yōu)于硅 (Si)。具有低本征載流子濃度的寬帶隙允許更高的臨界電場，從而允許在更高的擊穿電壓下具有降低的特定導通電阻 (Rds on ) 的更薄的漂移層。導通損耗可以通過較低的 Rdson 降低，而動態(tài)損耗可以通過GaN可能的更小的裸片尺寸來降低. 當它與鋁基異質結構結合時形成二維電子氣 (2DEG) 的能力導致了備受青睞的高電子遷移率晶體管 (HEMT) 功率器件。

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