為您的電源選擇正確的工作頻率

隨著現(xiàn)在對更高效、更低成本電源解決方案需求的強調(diào)，我們創(chuàng)建了該專欄，就各種電源管理課題提出一些對您有幫助的小技巧。該專欄面向各級設(shè)計工程師。無論您是從事電源業(yè)務(wù)多年還是剛剛步入電源領(lǐng)域，您都可以在這里找到一些極其有用的信息，以幫助您迎接下一個設(shè)計挑戰(zhàn)。

同級最佳共模抑制光電耦合器解決方案（飛兆）

飛兆半導體公司 (Fairchild Semiconductor) 為光伏逆變器、電機驅(qū)動和感應(yīng)加熱應(yīng)用的設(shè)計人員帶來同級最佳共模抑制 (common mode rejection, CMR) 光電耦合器解決方案，型號為 FOD3120 和 FOD3150。這兩種產(chǎn)品是輸出

全新系列高電壓降壓控制器（NS）

美國國家半導體公司 (NS)宣布推出四款全新的高電壓非同步降壓控制器，其完備的功能特性主要包括：適用于極高的輸入電壓，可以提供卓越的脈沖寬度調(diào)制(PWM)控制，而且還可減少電磁干擾（EMI）。 這幾款高度集成

全新溝道型HEXFET功率MOSFET系列（IR）

國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出具有高封裝電流額定值的全新溝道型HEXFET功率MOSFET系列，適用于工業(yè)用電池、電源、高功率DC馬達及電動工具。 新器件的封裝電流額定值達到195A，比典型封

LCD TV超級IP應(yīng)用的解決方案

LCD TV超級IP應(yīng)用的解決方案 Solutions for LCD TV Super IP Applications 飛兆半導體公司 在現(xiàn)今的 LCD TV 逆變器設(shè)計中，設(shè)計人員往往希望能找到效率高但成本最低的解決方案。采用傳統(tǒng)的拓撲結(jié)構(gòu)很難在不增加成本的情況下提高效率。超級逆變器或高壓逆變器正是針對這一問題的一個可行的解決方案，因為這些解決方案省掉了主輸出所需要的整流線路。

半橋MOSFET驅(qū)動器（研諾）

研諾邏輯科技有限公司(AnalogicTech）宣布為其不斷擴展的MOSFET驅(qū)動器產(chǎn)品系列新增了一款高壓產(chǎn)品。AAT4910支持電壓高達28V, 其半橋雙金屬氧化物半導體場效應(yīng)管(MOSFET)驅(qū)動器可提供業(yè)界同類多相DC-DC轉(zhuǎn)換器中的最低

新型20V n通道功率MOSFET+肖特基二極管（Vishay）

日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出業(yè)界最小的 20V n 通道功率 MOSFET＋肖特基二極管--- SiB800EDK，該器件采用 1.6mm×1.6mm 的熱增強型 PowerPAK® SC-75 封裝。這款新型器件的推出，意味著Vishay將其

兼容802.3af/802.3at的PoE接口控制器（Linear）

凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出一個 802.3af/802.3at 兼容的以太網(wǎng)供電 (PoE) 接口控制器 LTC4265，該器件用于需要高達 25.5W 功率的大功率受電設(shè)備 (PD) 應(yīng)用。在 2003 年，IEEE 802.3af 標準定

基于漏極導通區(qū)特性理解MOSFET開關(guān)過程

本文先介紹了基于功率MOSFET的柵極電荷特性的開關(guān)過程；然后介紹了一種更直觀明析的理解功率MOSFET開關(guān)過程的方法：基于功率MOSFET的導通區(qū)特性的開關(guān)過程，并詳細闡述了其開關(guān)過程。

表面貼裝功率MOSFET封裝的演進

功率MOSFET不僅是一種普遍使用的電子元件，而且也代表著一個眾所周知的事實——硅技術(shù)的創(chuàng)新已經(jīng)與滿足市場需求的表面貼裝封裝的創(chuàng)新形影不離。

采用TurboFET技術(shù)的第三代功率MOSFET（Vishay）

日前，Vishay Intertechnology, Inc.推出兩款 20V 和兩款 30V n 通道器件，從而擴展其第三代 TrenchFET® 功率 MOSFET 系列。這些器件首次采用 TurboFET™ 技術(shù)，利用新電荷平衡漏結(jié)構(gòu)將柵極電荷降低多達 45

反激式控制器（Linear）

凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出反激式控制器 LT3751，該器件可將大型電容器迅速充電至高達 1000V。LT3751 驅(qū)動一個外部 N 溝道 MOSFET，可在不到 1 秒鐘的時間內(nèi)將一個 1000uF 電容器充電至 500

單片機控制的小型發(fā)電機逆變電源的研制

一種簡潔的高效率開關(guān)電源的研制

通用照明市場中的高亮度LED驅(qū)動挑戰(zhàn)暨安森美半導體解決方案